西北工业大学王学文获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种采用光刻方法制备薄膜掩模版的方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115373215B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211069751.X，技术领域涉及：G03F1/80；该发明授权一种采用光刻方法制备薄膜掩模版的方法及其应用是由王学文;董璇;赵若晴;骆磊;吴昊;黄维设计研发完成，并于2022-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种采用光刻方法制备薄膜掩模版的方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种采用光刻方法制备薄膜掩模版的方法及其应用，包括：步骤一：在预处理后的基片表面旋涂光敏聚酰亚胺光刻胶，并依次进行前烘、曝光、烘烤和显影；步骤二：热处理，使聚酰亚胺光刻胶固化成膜；脱模剥离即得具有目标图案的柔性聚酰亚胺薄膜掩模版。根据本发明所得柔性薄膜掩模版的图案分辨率可达到3μm，厚度范围在5～30μm，适用于复杂环境下在任何三维曲面、柔性和脆性基底表面的微纳器件加工。
本发明授权一种采用光刻方法制备薄膜掩模版的方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种采用光刻方法制备薄膜掩模版的方法，其特征在于，包括： 步骤一：在预处理后的基片表面旋涂光敏聚酰亚胺光刻胶，并依次进行前烘、曝光、烘烤和显影；所述曝光的高压汞灯光强为100～300mJcm2；所述烘烤的温度为45℃，时间为60s；所述的显影用的显影液为丙酮、环戊酮和N-甲基吡咯烷酮中的一种，显影时间为10～60s； 步骤二：热处理，使聚酰亚胺光刻胶固化成膜；脱模剥离即得具有目标图案的柔性聚酰亚胺薄膜掩模版； 所述的基片为石英片或玻璃片，预处理包括超声处理和表面蒸镀铜层；所述的铜层的厚度为50～100nm；所述的脱模剥离为将载有薄膜的石英片或玻璃片置入质量分数≥30％三氯化铁溶液中静置10～30min脱模剥离； 或者，所述的基片为SiO2Si基片，预处理包括表面亲水处理；亲水处理的方法为O2Plasma或UV-ozone；所述的脱模剥离为将载有薄膜的SiO2Si基片置入质量分数≥20％氢氟酸溶液中静置10～30min脱模剥离。
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