杭州广立微电子股份有限公司万晶获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州广立微电子股份有限公司申请的专利保护二极管的识别、绕线方法及测试芯片设计方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115331090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210746196.3，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权保护二极管的识别、绕线方法及测试芯片设计方法和系统是由万晶;杨璐丹;潘伟伟设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本保护二极管的识别、绕线方法及测试芯片设计方法和系统在说明书摘要公布了：本发明提供保护二极管的识别方法，包括：获取版图，识别出源漏掺杂区；识别出与所述源漏掺杂区有接触并且与除所述源漏掺杂区外的有源区没有接触和与栅极连接线没有接触的有源区连接线，即保护二极管的引脚；通过识别出所述保护二极管的引脚实现对保护二极管的识别。可以自动快速地为避免天线效应提供可选保护二极管。本发明还提供的绕线方法通过本发明的保护二极管的识别方法得到保护二极管的引脚，可自动连接到晶体管的栅极，从而保护栅极。本发明的测试芯片设计方法对于晶体管型的目标对象，利用本发明的绕线方法，可自动快速添加保护二极管，进一步提高了设计效率。本发明的测试芯片设计方法、系统、测试芯片具有相应优势。
本发明授权保护二极管的识别、绕线方法及测试芯片设计方法和系统在权利要求书中公布了：1.保护二极管的识别方法，其特征在于：包括：获取版图，识别出源漏掺杂区；识别出与所述源漏掺杂区有接触并且与除所述源漏掺杂区外的有源区没有接触和与栅极连接线没有接触的有源区连接线，即保护二极管的引脚；通过识别出所述保护二极管的引脚实现对保护二极管的识别； 所述源漏掺杂区包括N型源漏掺杂区以及P型源漏掺杂区。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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