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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利三维铁电存储器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115298826B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080098708.9，技术领域涉及：H10B53/10；该发明授权三维铁电存储器及电子设备是由魏侠;杨喜超;张岩;秦健鹰设计研发完成，并于2020-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维铁电存储器及电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例属于存储设备技术领域，具体涉及一种三维铁电存储器及电子设备。本申请实施例旨在解决相关技术中三维铁电存储器的尺寸较大，难以实现三维铁电存储器的小型化的问题。本申请实施的三维铁电存储器及电子设备，存储层包括参考层，在参考层背离基底的一侧设置有第一介质层，第一介质层包括多个间隔设置的第一存储块，在参考层朝向基底的一侧设置有第二介质层，第二介质层包括多个间隔设置的第二存储块；第一介质层和第二介质层共用一个参考层，与一个参考层对应设置一个介质层相比，减少了参考层的数量，进而在垂直于基底的方向减小了三维铁电存储器的尺寸，进而减小了三维铁电存储器的体积，实现了三维铁电存储器的小型化。

本发明授权三维铁电存储器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种三维铁电存储器，其特征在于，包括： 基底和在所述基底上层叠设置的多个存储层； 所述多个存储层中的每个存储层包括参考层、设置在所述参考层背离所述基底一侧的第一介质层、设置在所述参考层朝向所述基底一侧的第二介质层，所述第一介质层包括间隔设置的多个第一存储块，所述第二介质层包括间隔设置的多个第二存储块，所述多个第一存储块中每一第一存储块和所述多个第二存储块中每一第二存储块均与所述参考层贴合，每一所述第一存储块与所述参考层组合形成一个第一存储单元，每一所述第二存储块与所述参考层组合形成一个第二存储单元； 所述多个第一存储块以及所述多个第二存储块均阵列设置，且所述多个第一存储块和所述多个第二存储块在垂直于所述参考层的方向一一对应； 所述第一介质层还包括与所述第一存储块一侧接合的第一电极以及与所述第一存储块另一侧接合的第二电极； 所述第二介质层还包括与所述第二存储块一侧接合的第三电极以及与所述第二存储块另一侧接合的第四电极； 所述三维铁电存储器还包括位于所述第一存储块背离所述基底一侧的第一连接层和位于所述第二存储块朝向所述基底一侧的第二连接层，所述第一连接层包括平行且间隔设置的多个第一连接线，所述多个第一连接线中的每一所述第一连接线与一列所述第一存储块对应的所述第一电极连接；所述第二连接层包括平行且间隔设置的多个第二连接线，所述多个第二连接线中的每一所述第二连接线与一列所述第二存储块对应的所述第三电极连接； 所述三维铁电存储器还包括位于所述第一存储块背离所述基底一侧的第三连接层以及位于所述第二存储块朝向所述基底一侧的第四连接层，所述第三连接层包括平行且间隔设置的多个第三连接线，所述多个第三连接线中的每一所述第三连接线与一行所述第一存储块对应的所述第二电极连接，所述第四连接层包括平行且间隔设置的多个第四连接线，所述多个第四连接线中的每一所述第四连接线与一行所述第二存储块对应的所述第四电极连接。

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