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龙图腾网获悉河南仕佳光子科技股份有限公司申请的专利一种可靠性提升的激光器芯片及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115189225B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210529975.8，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权一种可靠性提升的激光器芯片及其制备工艺是由张晓光;张文超;焦山明;李月;唐强设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可靠性提升的激光器芯片及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明提出了一种可靠性提升的激光器芯片及其制备工艺，用以解决边发射激光器容易端面失效的技术问题。本发明激光器芯片包括衬底，衬底背面设有N面电极，衬底正面设有外延材料，外延材料的顶层为欧姆接触层，外延材料中设有波导，波导附近区域为波导区域；外延材料表面设置有绝缘介质层，波导区域和绝缘介质层上设置有P面电极，但波导区域中的欧姆接触层上不设置绝缘介质层，P面电极与欧姆接触层相接触；激光器芯片端面的区域设有无电极区，无电极区上方不设置绝缘介质层和P面电极。本发明还包括上述激光器芯片的制备方法。本发明在激光器端面设有无电极区，无电极区达到提高COD阈值水平、提升可靠性的目的。

本发明授权一种可靠性提升的激光器芯片及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种可靠性提升的激光器芯片，包括衬底1，衬底背面设有N面电极，衬底正面设有外延材料，外延材料的顶层为欧姆接触层12，其特征在于，外延材料中设有波导，波导附近区域为波导区域15；外延材料表面设置有绝缘介质层13，波导区域和绝缘介质层上设置有P面电极，但波导区域15中的欧姆接触层12上不设置绝缘介质层13，P面电极与欧姆接触层12相接触；激光器芯片端面的区域设有无电极区18，无电极区18上方不设置绝缘介质层13和P面电极； 所述无电极区18为激光器芯片端面的波导区域15或整个激光器芯片端面的区域； 所述的激光器芯片的制备方法，步骤如下： 1在晶圆的外延材料上利用光刻工艺制备波导图形，随后利用刻蚀工艺除去波导图形下方的外延材料以制备波导； 2在步骤1中制备有波导的外延材料表面沉积绝缘介质层13； 3在步骤2中绝缘介质层13上利用光刻工艺制备窗口图形，随后利用刻蚀工艺除去窗口图形下方波导区域15中欧姆接触层12上的绝缘介质层13，同时刻蚀除去靠近激光器芯片端面的绝缘介质层13，制作无电极区18； 4在步骤3中晶圆的欧姆接触层12和绝缘介质层13上制备P面电极14； 5对步骤4中制备有P面电极14晶圆的衬底1背面进行减薄抛光后制备N面电极，得到激光器晶圆； 6采用步骤5中制备的激光器晶圆制备激光器芯片。

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