中国电子科技南湖研究院戚佳斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技南湖研究院申请的专利一种亚纳米级铁电存储计算一体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210727753.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种亚纳米级铁电存储计算一体器件及其制备方法是由戚佳斌;刘力荣;邱飞龙;李忠贤;赵毅设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种亚纳米级铁电存储计算一体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种亚纳米级铁电存储计算一体器件及其制作方法，铁电存储计算一体器件包括，铁电存储器、MOSFET晶体管和隔离层；铁电存储器从上到下依次为：金属电极、顶电极、铁电层、底电极；各层均位于MOSFET晶体管的栅极之上；铁电存储器的底电极与作为铁电存储计算一体器件的基体的MOSFET晶体管的栅极左侧部分直接连接。铁电存储器与MOSFET晶体管的栅极之间被隔离层分隔，铁电存储器的底电极选用低维材料，且厚度能调节的范围宽，既能与现有晶体管纳米级别CMOS工艺技术兼容，也能使铁电存储器的尺寸达到亚纳米级别。实现最佳写入和读出性能的同时解决了铁电存储器尺寸微缩难的问题。
本发明授权一种亚纳米级铁电存储计算一体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种亚纳米级铁电存储计算一体器件，其特征在于，所述铁电存储计算一体器件包括，铁电存储器和MOSFET晶体管； 所述铁电存储器作为数据存储元件，所述MOSFET晶体管执行数据计算功能； 采用低维材料制作所述铁电存储器的底电极2，所述铁电存储器从上到下依次包括：金属电极5、顶电极4、铁电层3和底电极2；各层均位于MOSFET晶体管的栅极之上依预定构型层叠制作； 所述MOSFET晶体管作为所述铁电存储计算一体器件的基体,所述铁电存储器的底电极2与所述MOSFET晶体管的栅极直接连接； 所述铁电存储器的有效工作区域6的尺寸仅由底电极2的厚度方向相对于铁电层3的宽度来确定，以将所述铁电存储器有效工作区6的线宽尺寸限定在亚纳米级别。
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