电子科技大学李轩获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利P+屏蔽层自钳位沟槽型碳化硅IGBT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084229B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210753144.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权P+屏蔽层自钳位沟槽型碳化硅IGBT器件及其制备方法是由李轩;娄谦;赵汉青;邓小川;张波设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本P+屏蔽层自钳位沟槽型碳化硅IGBT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种P+屏蔽层自钳位的沟槽型碳化硅IGBT器件及其制备方法，通过引入增强型P沟道MOSFET结构实现P+屏蔽层电势自动钳位：在正向阻断区时，增强型P沟道MOSFET开启，P+屏蔽层自动钳位在低电势保护栅氧化层；在饱和区内，增强型P沟道MOSFET关断，P+屏蔽层保持浮空状态，提升近表面层载流子浓度；在有源区内，增强型P沟道MOSFET开启，屏蔽层电势钳位，降低饱和电流，提升器件短路能力。本发明在保证沟槽型碳化硅IGBT器件栅氧化层可靠性的前提下，保持低正向导通电压及低开关损耗优势，兼顾EMI噪声特性及短路能力。
本发明授权P+屏蔽层自钳位沟槽型碳化硅IGBT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种P+屏蔽层自钳位沟槽型碳化硅IGBT器件，其特征在于：包括集电极金属7、集电极金属7上方的P+衬底6、P+衬底6上方的N型缓冲层5、N型缓冲层5上方的N-漂移区4；所述N-漂移区4的内部上方左侧设有多晶硅栅9及栅介质10填充的凹槽，凹槽左侧为P型基区3，凹槽右下方为P+屏蔽层22；所述P+屏蔽层22内部上方左侧为N型基区31；所述P型基区3左上方为P+欧姆接触区2，所述P型基区3右上方为N+源区8；所述N型基区31内部上方左侧为第二P+欧姆接触区21；所述P+欧姆接触区2与N+源区8上方为第一发射极金属1；所述N型基区31及P+屏蔽层22上方为第二栅介质15；所述第二P+欧姆接触区21及第二栅介质15上方为第三发射极金属11；所述多晶硅栅9上方为栅极金属14，P型基区3靠近栅介质10的部分为器件的沟道。
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