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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利测试结构和测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975365B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210470164.5，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权测试结构和测试方法是由杜怡行;王壮壮;王虎;顾林;姚春;杨耀华设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本测试结构和测试方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种测试结构和测试方法，该测试结构包括：形成于衬底中的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第三掺杂区中形成有STI结构；浮栅，形成于衬底上方且在横向上位于STI结构之间，浮栅和衬底之间形成有栅介质层；控制栅，形成于浮栅上；多个浮栅和多个控制栅位于第三掺杂区内，浮栅和所述控制栅为条形；第三掺杂区内还形成有第一金属层和第二金属层，第一金属层和第二金属层位于多个浮栅和多个控制栅所占据的区域的两侧，多个控制栅的两端分别与第一金属层和第二金属层连接；衬底上还形成有第三金属层和第四金属层，第三金属层与第二金属层连接，第四金属层与第二掺杂区连接且不与第三掺杂区接触。

本发明授权测试结构和测试方法在权利要求书中公布了：1.一种测试结构，其特征在于，所述测试结构用于对闪存器件的浮栅缺陷进行检测，所述测试结构形成于衬底上，所述测试结构包括： 掺杂区，所述掺杂区形成于所述衬底中，所述掺杂区从下而上依次包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述衬底中掺杂有第一类型的杂质，所述第一掺杂区中掺杂有第二类型的杂质，所述第二掺杂区中掺杂有所述第一类型的杂质，所述第三掺杂区中掺杂有所述第二类型的杂质，所述第三掺杂区中形成有STI结构； 浮栅，所述浮栅形成于所述衬底上方和所述STI结构之间，所述浮栅和所述衬底之间形成有栅介质层； 控制栅，所述控制栅形成于所述浮栅上； 从俯视角度观察，多个所述浮栅和多个所述控制栅位于所述第三掺杂区内，所述浮栅和所述控制栅为条形，所述浮栅和所述控制栅相互垂直，多个所述浮栅之间的间距相同，多个所述控制栅之间的间距相同； 所述第三掺杂区内还形成有第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层位于多个所述浮栅和多个所述控制栅所占据的区域的两侧，多个所述控制栅的两端分别与所述第一金属层和所述第二金属层连接； 所述第二掺杂区的面积大于所述第三掺杂区的面积，所述衬底上还形成有第三金属层和第四金属层，所述第三金属层与所述第二金属层连接，所述第四金属层与所述第二掺杂区连接且不与所述第三掺杂区接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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