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长江先进存储产业创新中心有限责任公司杨红心获国家专利权

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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利相变材料及其制造方法、相变存储器及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114824073B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210554553.6,技术领域涉及:H10N70/20;该发明授权相变材料及其制造方法、相变存储器及其制造方法是由杨红心;周凌珺;刘峻设计研发完成,并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

相变材料及其制造方法、相变存储器及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明实施例提供一种相变材料及其制造方法、相变存储器及其制造方法,其中,所述相变材料包括:第一掺杂元素、第二掺杂元素以及相变本体材料;其中,所述第一掺杂元素和所述第二掺杂元素均能够与所述相变本体材料中的元素形成化学键;所述形成的化学键的键能大于所述相变本体材料中元素间的化学键的键能;所述第一掺杂元素和所述第二掺杂元素属于元素周期表中不同族的元素。本发明实施例能够提高相变材料的非晶态热稳定性和数据保持力,从而提升相变存储器的电学性能。

本发明授权相变材料及其制造方法、相变存储器及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种相变材料,其特征在于,包括: 第一掺杂元素、第二掺杂元素以及相变本体材料;其中,所述第一掺杂元素和所述第二掺杂元素均能够与所述相变本体材料中的元素形成化学键;所述形成的化学键的键能大于所述相变本体材料中元素间的化学键的键能;所述第一掺杂元素和所述第二掺杂元素属于元素周期表中不同族的元素;所述第一掺杂元素包括所述元素周期表中第三主族元素中的至少一种;所述第二掺杂元素包括所述元素周期表中第四主族元素中的至少一种;所述第一掺杂元素包括铟元素;所述第二掺杂元素包括碳元素;所述相变本体材料包括硫系化合物;所述相变材料的化学通式为InCrR100-r;其中,1%<r<20%;所述R为所述相变本体材料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人长江先进存储产业创新中心有限责任公司,其通讯地址为:430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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