长江存储科技有限责任公司杨远程获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储结构及其制造方法、存储器、存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823692B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210320754.X，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权三维存储结构及其制造方法、存储器、存储装置是由杨远程;韩玉辉;周文犀;刘磊设计研发完成，并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储结构及其制造方法、存储器、存储装置在说明书摘要公布了：本公开涉及一种三维存储结构及其制造方法、存储器、存储装置。该方法包括：在包括沟道结构的堆叠结构上依次形成底部介电层、金属硅化物层以及顶部介电层；形成贯穿所述顶部介电层、所述金属硅化物层以及所述底部介电层的辅助沟道结构，并使得所述辅助沟道结构与所述沟道结构电连接；以及形成贯穿所述顶部介电层和所述金属硅化物层的选择栅隔离结构。
本发明授权三维存储结构及其制造方法、存储器、存储装置在权利要求书中公布了：1.一种制造三维存储结构的方法，其特征在于，包括： 在包括沟道结构的堆叠结构上依次形成底部介电层、多晶硅层以及顶部介电层； 形成贯穿所述顶部介电层和所述多晶硅层的辅助沟道孔或选择栅隔离槽； 在形成所述顶部介电层之后，将所述多晶硅层转化为金属硅化物层：在所述辅助沟道孔或所述选择栅隔离槽中以及在所述顶部介电层上形成金属填充结构；对所述多晶硅层和所述金属填充结构进行合金反应，以使所述多晶硅层转化为所述金属硅化物层并得到残留金属填充结构；以及去除所述残留金属填充结构； 形成自所述顶部介电层贯穿至所述底部介电层的辅助沟道结构，并使得所述辅助沟道结构与所述沟道结构电连接；以及 形成贯穿所述顶部介电层和所述金属硅化物层的选择栅隔离结构。
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