华为技术有限公司叶力获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种磁性随机存储器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114788028B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080085444.3，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种磁性随机存储器及电子设备是由叶力;李文静设计研发完成，并于2020-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁性随机存储器及电子设备在说明书摘要公布了：一种磁性随机存储器及电子设备，用以提高磁性随机存储器的存储密度。磁性随机存储器包括多个结构单元以及多个电压控制线；多个电压控制线平行；多个结构单元所在的平面平行，且多个结构单元中每个结构单元所在的平面与多个电压控制线垂直。其中，每个结构单元包括依次堆叠的多层存储结构，多层存储结构中的每层存储结构包括电极线以及设置于电极线上的多个存储单元，多个存储单元中的每个存储单元包括一个磁性隧道结，每个存储单元的一端与电极线连接，另一端与多个电压控制线中的一个电压控制线连接。
本发明授权一种磁性随机存储器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种磁性随机存储器，其特征在于，包括多个结构单元以及多个电压控制线； 其中，所述每个结构单元包括依次堆叠的多层存储结构，所述多层存储结构中的每层存储结构包括电极线以及设置于所述电极线上的多个存储单元，所述多个存储单元中的每个存储单元包括一个磁性隧道结，所述每个存储单元的一端与所述电极线连接，另一端与所述多个电压控制线中的一个电压控制线连接； 所述磁性随机存储器还包括： 第一位线和第二位线；所述第一位线、所述第二位线以及所述多个电压控制线之间相互平行； 所述每个结构单元还包括字线、第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极分别与所述字线连接，所述第一晶体管的源极与所述第一位线连接，所述第二晶体管的漏极与所述第二位线连接，所述第一晶体管的漏极通过金属导线与所述电极线的第一端连接，所述第二晶体管的源极通过金属导线与所述电极线的第二端连接。
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