福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759032B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210323738.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由童宇诚;张钦福设计研发完成，并于2022-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构，包括第一底电极和第二底电极设置在衬底上。第一底电极包括第一侧壁和第二侧壁，第二底电极包括第三侧壁和第四侧壁，且第二侧壁面向第三侧壁。上部支撑层位于第一底电极和第二底电极之间并且接触第二侧壁和第三侧壁。上部支撑层与衬底之间包括空腔。电容介质层，位于所述第一底电极和所述第二底电极上。导电材料，位于所述电容介质层上并填满空腔。第一侧壁的上部包括一斜坡轮廓，且斜坡轮廓的一下端不低于上部支撑层的下表面。斜坡轮廓可改善电容介质层的均匀性并帮助导电材料填满空腔。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一衬底； 一第一底电极和一第二底电极设置在所述衬底上，其中所述第一底电极包括一第一侧壁和一第二侧壁，所述第二底电极包括一第三侧壁和一第四侧壁，所述第二侧壁面向所述第三侧壁，所述第一侧壁的上部包括一斜坡轮廓； 一第三底电极设置在所述衬底上，所述第三底电极包括一第五侧壁，所述第五侧壁面向所述第一侧壁，所述第五侧壁的上部包括另一斜坡轮廓，其中所述第五侧壁的最顶点高于所述第一侧壁的最顶点； 一上部支撑层，位于所述第一底电极和所述第二底电极之间并且接触所述第二侧壁和所述第三侧壁，其中所述上部支撑层包括一上表面和一下表面，所述斜坡轮廓的一下端不低于所述上部支撑层的所述下表面； 一空腔，位于所述衬底和所述上部支撑层之间； 一电容介质层，位于所述第一底电极和所述第二底电极上；以及 一导电材料，位于所述电容介质层上并填满空腔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建省晋华集成电路有限公司，其通讯地址为：362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励