买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料、相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744109B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210326791.1，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料、相变存储器是由程晓敏;曾运韬;李凯;缪向水设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料、相变存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种四面体结构化合物掺杂的Sb‑Te相变材料和相变存储器，属于微纳米电子技术领域，Sb‑Te相变材料化学式为MAxxSb‑Te1‑x1‑x，MA为四面体结构化合物，x代表四面体结构化合物分子数占总分子数的百分比，0x10％，四面体结构化合物选自SiC、SiN、GeC中的一种或者多种。本发明还提供了包括如上所述的Sb‑Te相变材料的相变存储器。本发明的四面体结构化合物掺杂的Sb‑Te相变材料具有较好的非晶稳定性和数据保持能力，不与Sb‑Te体系相变材料中的元素成键，能保证Sb‑Te体系相变材料晶格结构完整，还能减小晶粒尺寸，阻止相变元素的原子迁移，最终全方位地实现改善器件的综合性能。

本发明授权四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料、相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料，其特征在于，其化学式为MAxSb-Te1-x，所述Sb-Te体系相变材料选自SbTe、Sb2Te1和Sb4Te1，其中，MA为四面体结构化合物，x代表四面体结构化合物分子数占总分子数的百分比，x=4%，四面体结构化合物为GeC， 四面体结构化合物MA在Sb-Te体系相变层，结构稳定，其与Sb-Te体系八面体晶体结构相异，从而能阻碍Sb-Te体系相变材料的自发结晶，进而能提高其非晶稳定性及数据保持能力， 并且，四面体结构化合物MA元素与Sb-Te体系相变材料中的元素相互独立而无键合，无替位或者间隙掺杂现象，从而能保证Sb-Te体系相变材料晶格结构完整，以保持快速结晶的性能， 四面体结构化合物MA以非晶形式均匀分布于晶态相变材料的晶界处，以用于减小晶粒尺寸，能阻碍相变元素的原子迁移，最终能提高器件的可靠性， 其采用Sb-Te体系靶和MA靶共溅射获得， 其中只存在以下几种化学键，包括M-A键、M-M键、A-A键和Sb-Te键。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。