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龙图腾网获悉西部数据技术公司申请的专利包括多铁性区的磁性设备及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730589B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080079838.8，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权包括多铁性区的磁性设备及其形成方法是由B·普拉萨德;A·卡利佐夫设计研发完成，并于2020-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括多铁性区的磁性设备及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁性设备，该磁性设备包括第一电极、第二电极、位于该第一电极与该第二电极之间的各自包含铁磁参考层和铁磁自由层的多个磁性结，以及位于该第一电极与该第二电极之间的具有不同结构缺陷密度的多个磁电多铁性部分。该多个磁电多铁性部分中的每一者磁性耦接到该多个磁性结中的相应一者的该铁磁自由层。

本发明授权包括多铁性区的磁性设备及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种磁性设备，包括： 第一电极； 第二电极； 多个磁性结，所述多个磁性结各自包括铁磁参考层和铁磁自由层并位于所述第一电极与所述第二电极之间； 多个磁电多铁性部分，所述多个磁电多铁性部分具有不同结构缺陷密度并位于所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述多个磁电多铁性部分中的每一者磁性耦接到所述多个磁性结中的相应一者的所述铁磁自由层；和 还包括选自以下的至少一个特征： 1第一特征，在所述第一特征中： 不同结构缺陷密度包括不同磁电多铁性部分中的断裂接合的不同密度；或者 2第二特征，在所述第二特征中： 不同结构缺陷密度包括所述不同磁电多铁性部分中的晶格中的移位原子的不同密度；或者 3第三特征，在所述第三特征中： 不同结构缺陷密度包括所述不同磁电多铁性部分中的镓或氦原子的不同密度；或者 4第四特征，在所述第四特征中： 所述多个磁电多铁性部分包括： 第一磁电多铁性部分，所述第一磁电多铁性部分具有第一结构缺陷密度和第一铁电矫顽性；和 第二磁电多铁性部分，所述第二磁电多铁性部分具有高于所述第一结构缺陷密度的第二结构缺陷密度，以及高于所述第一铁电矫顽性的第二铁电矫顽性；或者 5第五特征，在所述第五特征中： 所述多个磁电多铁性部分包括具有从一侧到另一侧单调横向改变的递变结构缺陷密度的单个连续磁电多铁性层内的没有明显边界的部分；并且 所述多个磁性结包括具有由畴壁晶粒边界分开的多个晶粒的连续多晶铁磁自由层。

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