上海新微技术研发中心有限公司陈洋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利制作硅通孔的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011566645.3，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权制作硅通孔的方法是由陈洋设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本制作硅通孔的方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种制作硅通孔的方法，包括提供硅基板，其上表面具有微结构，加工硅基板的下部以使其减薄至预定厚度，将硅基板的下表面固定于刻蚀表面，自硅基板的上表面向下刻蚀出贯通硅基板的槽体，从而形成硅通孔；这可以避免研磨液流入诸如流道的微结构中，从而不会在微结构中形成永久性的污渍，进而避免对芯片的性能造成严重的影响。
本发明授权制作硅通孔的方法在权利要求书中公布了：1.一种制作硅通孔的方法，其特征在于，包括： 提供硅基板，其上表面具有微结构； 加工所述硅基板的下部以使其减薄至预定厚度； 将所述硅基板的下表面固定于刻蚀表面，包括：在所述硅基板的下表面贴上静电膜，通过所述静电膜将所述硅基板的下表面固定于所述刻蚀表面； 自所述硅基板的上表面向下刻蚀出贯通所述硅基板的槽体，从而形成所述硅通孔； 在所述硅通孔形成后，去除所述静电膜。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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