中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所潘革波获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一种气敏传感器基底及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114689663B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011599390.0，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种气敏传感器基底及其制备方法和应用是由潘革波;周全设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种气敏传感器基底及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种气敏传感器基底及其制备方法和应用，所述气敏传感器基底包括依次层叠设置的光源层、半导体衬底层以及气敏传感材料层。本发明在气敏传感器基底中引入原位光源层，实现气敏传感器的原位增强，使传感器在低温下同样具有较高的灵敏度，稳定性高，重现性好，且能够提升基底的光利用率，表面增强效果更好，能够满足多种需求的气敏传感器，且制备工艺简单，成本低廉。
本发明授权一种气敏传感器基底及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种气敏传感器基底，其特征在于，所述气敏传感器基底包括依次层叠设置的光源层、半导体衬底层以及气敏传感材料层； 所述半导体衬底层和气敏传感材料层均具有微孔阵列结构； 所述气敏传感器基底按如下制备方法进行制备： 1在光源层上气相外延生长半导体材料，得到半导体衬底层； 2在所述半导体衬底层上原位生长金属氧化物，形成气敏传感材料层，得到所述气敏传感器基底。
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