北京北方华创微电子装备有限公司刘贺获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺设备及介质窗的控温方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520140B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210175726.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体工艺设备及介质窗的控温方法是由刘贺;程旭文设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺设备及介质窗的控温方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体工艺设备及介质窗的控温方法，半导体工艺设备包括反应腔室、介质窗、喷嘴和控制系统，其中：介质窗设于反应腔室的顶部，喷嘴贯通介质窗；介质窗包括由上至下层叠设置的第一控温层和第二控温层；第一控温层包括设于其内部的热交换流道，热交换流道内设有热交换介质，控制系统被配置为通过调节热交换介质的温度来调控第一控温层的温度；第二控温层包括环绕喷嘴且沿径向设置的多个环带区，每个环带区内均设有测温器件和加热器，测温器件用于检测对应的环带区的温度，控制系统被配置为根据测温器件的检测数据，通过调节加热器的温度来调控对应环带区的温度。上述方案能够实现介质窗的均匀控温。
本发明授权半导体工艺设备及介质窗的控温方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括反应腔室、介质窗、喷嘴和控制系统，其中： 所述介质窗设于所述反应腔室的顶部，所述喷嘴贯通所述介质窗；所述介质窗包括由上至下层叠设置的第一控温层和第二控温层； 所述第一控温层包括设于其内部的热交换流道，所述热交换流道内设有热交换介质，所述控制系统被配置为通过调节所述热交换介质的温度来调控所述第一控温层的温度，通过使所述热交换介质预先被加热，使得所述介质窗具备基础温度； 所述第二控温层包括环绕所述喷嘴且沿径向设置的多个环带区，每个所述环带区内均设有测温器件和加热器，所述测温器件用于检测对应的所述环带区的温度，所述控制系统被配置为根据所述测温器件的检测数据，通过调节所述加热器的温度来调控对应所述环带区的温度。
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