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中微半导体设备(上海)股份有限公司孙祥获国家专利权

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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利半导体零部件、其形成方法和等离子体处理装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114520139B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011308450.9,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权半导体零部件、其形成方法和等离子体处理装置是由孙祥;段蛟;陈星建;杜若昕设计研发完成,并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体零部件、其形成方法和等离子体处理装置在说明书摘要公布了:一种半导体零部件、其形成方法和等离子体处理装置,其中,所述半导体零部件包括:零部件本体;结合层,位于所述零部件本体的表面;耐腐蚀涂层,位于所述结合层的表面,所述耐腐蚀涂层的材料包括硅铝氧氮化合物。所述半导体零部件耐等离子体腐蚀的能力较强,不易产生颗粒污染。

本发明授权半导体零部件、其形成方法和等离子体处理装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体零部件,其特征在于,包括: 零部件本体,其包括待处理面,所述待处理面用于朝向等离子体环境,所述等离子体环境包括含F等离子体和含H等离子体; 结合层,位于所述零部件本体的待处理面上,所述结合层的材料包括YOxF1-X0x0.8; 耐腐蚀涂层,位于所述结合层的表面,所述耐腐蚀涂层的材料包括硅铝氧氮化合物,所述耐腐蚀涂层中的铝元素锚定在结合层表面不饱和配位的氧原子表面形成Y-O-Al过渡结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中微半导体设备(上海)股份有限公司,其通讯地址为:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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