南京大学;南京大学深圳研究院叶建东获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学;南京大学深圳研究院申请的专利一种基于肖特基二极管的氧化镓微米柱阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447100B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210060232.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种基于肖特基二极管的氧化镓微米柱阵列及其制备方法是由叶建东;张贻俊;任芳芳;顾书林;张荣设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于肖特基二极管的氧化镓微米柱阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于肖特基二极管的氧化镓微米柱阵列及其制备方法，所述肖特基二极管由下往上依次包括衬底层，氧化镓层，氧化镓微米柱的肖特基阵列；所述氧化镓层材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓，所述氧化镓微米柱材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓。本发明将HVPE和MistCVD结合，快速制备出氧化镓微米柱阵列，制备高质量的氧化镓阵列材料，以实现低开启电压、快开关速度和低能源损耗的氧化镓微米柱阵列的肖特基二极管。相对于其他氧化镓肖特基二极管的方法，本发明制备的氧化镓微米柱阵列形貌精准可控，重复性好，效率高，制造工艺简单，可以有效地集成和大规模生产。
本发明授权一种基于肖特基二极管的氧化镓微米柱阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于肖特基二极管的氧化镓微米柱阵列，其特征在于，所述肖特基二极管由下往上依次包括衬底层，通过Mist-CVD制备的高掺杂n型氧化镓导电层，氧化镓微米柱的肖特基阵列；所述氧化镓微米柱的肖特基阵列包括通过HVPE制备的低掺杂氧化镓微米柱漂移层、底电极和顶电极，所述底电极和顶电极采用一对多结构；所述氧化镓导电层为平整的薄膜，所述氧化镓导电层材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓，所述氧化镓微米柱材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓； 所述高掺杂n型氧化镓导电层的掺杂浓度为1018–1019cm-3； 所述低掺杂氧化镓微米柱漂移层的掺杂浓度为1015–1017cm-3； 所述顶电极为在氧化镓微米柱顶部设置的一个肖特基接触电极，所述底电极为在氧化镓微米柱底部设置的两个欧姆接触电极。
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