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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011170073.7，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置是由王利忠;周天民;胡合合;许晓春;姚念琦;薛大鹏;董水浪设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置。氧化物薄膜晶体管包括位于衬底上的栅极、金属氧化物有源层和源漏金属层，所述金属氧化物有源层包括沿远离所述衬底方向层叠设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，所述第一金属氧化物层为载流子传输层，所述第二金属氧化物层为载流子隔离层，所述载流子传输层的电子迁移速率大于所述载流子隔离层的电子迁移速率；所述第一金属氧化物层包括朝向所述衬底以及背离所述衬底的两个主表面，所述第一金属氧化物层还包括位于所述主表面周围的侧面，所述第二金属氧化物层覆盖所述第一金属氧化物层的所述侧面。本公开实施例能够提高氧化物薄膜晶体管有源层的可靠性。

本发明授权一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括位于衬底上的栅极、金属氧化物有源层和源漏金属层，所述金属氧化物有源层包括沿远离所述衬底方向层叠设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，所述第一金属氧化物层为载流子传输层，所述第二金属氧化物层为载流子隔离层，所述载流子传输层的电子迁移速率大于所述载流子隔离层的电子迁移速率； 所述第一金属氧化物层包括朝向所述衬底以及背离所述衬底的两个主表面，所述第一金属氧化物层还包括位于所述主表面周围的侧面，所述第一金属氧化物层的侧面的致密程度低于所述主表面的致密程度，所述第二金属氧化物层覆盖所述第一金属氧化物层的所述侧面； 所述金属氧化物有源层还包括第四金属氧化物层，所述第四金属氧化物层位于所述第二金属氧化物层远离所述第一金属氧化物层的一侧，在垂直于所述衬底的方向上，所述第四金属氧化物层覆盖所述第二金属氧化物层的侧面； 所述第四金属氧化物层的载流子迁移率低于所述第二金属氧化物层的载流子迁移率、所述第四金属氧化物层的刻蚀速率大于所述第二金属氧化物层的刻蚀速率、所述第四金属氧化物层的结晶程度大于所述第二金属氧化物层的结晶程度、所述第四金属氧化物层的禁带宽度大于所述第二金属氧化物层的禁带宽度。

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