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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种低压高效率氮化镓功率器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361034B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111407815.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种低压高效率氮化镓功率器件及其制作方法是由马晓华;祝杰杰;刘思雨;郭静姝;宓珉瀚设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低压高效率氮化镓功率器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低压高效率氮化镓功率器件及其制作方法，方法包括：获取外延基片；对外延基片进行电隔离；在帽层上光刻出源、漏电极区域，利用二次外延技术和图形化刻蚀技术在源、漏电极区域生长欧姆金属形成源电极、漏电极；在源电极、漏电极和帽层上生长钝化层；在钝化层上光刻出凹槽区域，刻蚀凹槽区域内的钝化层直至预设位置形成凹槽；在凹槽内生长栅介质层；在钝化层上和凹槽上方光刻出栅电极区域，在栅电极区域内的钝化层上和凹槽内的栅介质层上生长栅金属形成T型栅电极；刻蚀源电极、漏电极上的钝化层直至源电极、漏电极，分别在源电极、漏电极和T型栅电极上生长互联电极。本发明降低了器件的功耗，提高了器件的功率特性。

本发明授权一种低压高效率氮化镓功率器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低压高效率氮化镓功率器件的制作方法，其特征在于，包括： 获取外延基片；其中，所述外延基片自下而上依次包括衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和帽层；势垒层为厚度为3nm~20nm的AlGaN或AlN或InAlN或ScAlN或InAlGaN强极化氮化物； 在所述外延基片上形成有源区的电隔离； 在所述帽层上光刻出源电极区域和漏电极区域，利用二次外延技术和图形化刻蚀技术分别在所述源电极区域和所述漏电极区域生长欧姆金属形成源电极和漏电极；其中，所述利用二次外延技术和图形化刻蚀技术，分别在源电极区域和漏电极区域生长欧姆金属形成源电极和漏电极，包括：在所述帽层上生长掩膜层；在所述掩膜层上光刻出源电极区域和漏电极区域；刻蚀所述源电极区域和所述漏电极区域内的所述掩膜层直至部分所述缓冲层内；在所述缓冲层和所述掩膜层上生长厚度为100nm~200nm的N+GaN外延层；采用湿法刻蚀去除所述帽层上的所述掩膜层和所述N+GaN外延层；在所述N+GaN外延层上光刻出欧姆图形化区域；刻蚀所述欧姆图形化区域内的部分所述N+GaN外延层形成欧姆接触槽阵列；在所述N+GaN外延层上和所述欧姆接触槽阵列中的每个欧姆接触槽中沉积欧姆金属形成所述源电极和所述漏电极； 在所述源电极、所述漏电极和所述帽层上生长钝化层； 在所述钝化层上光刻出凹槽区域，刻蚀所述凹槽区域内的钝化层直至预设位置形成凹槽；其中，在凹槽刻蚀过程中，通过改变刻蚀条件，实现快速刻蚀后低损伤修复；在ICP刻蚀机中低损伤修复条件为：反应气体为O2和BCl3，反应腔室压力为20mTorr，上电极和下电极的射频功率分别为50W和15W，刻蚀深度为第二刻蚀深度，第二刻蚀深度为第一刻蚀深度的14，第一刻蚀深度最多为势垒层厚度的12； 利用等离子增强原子层沉积设备，在250°C~300°C温度下利用热氧化工艺在所述凹槽内原位氧化形成厚度为2nm~7nm的栅介质层，包括：在300°C温度下对凹槽区域的势垒层和凹槽区域外的钝化层表面进行原位预处理；在250°C~300°C温度下在凹槽区域的势垒层表面生长AlN介质插入层；在250°C~300°C温度下对凹槽区域的AlN介质插入层和凹槽区域外的钝化层表面进行氧化处理；在250°C~300°C温度下利用热氧化工艺在凹槽区域的AlN介质插入层和凹槽区域外的钝化层上进行原位氧化形成厚度为2nm~7nm栅介质层；其中，所述栅介质层由AlN介质插入层和Al2O3高k介质层共同组成； 在所述钝化层上和所述凹槽上方光刻出栅电极区域，在所述栅电极区域内的所述钝化层上和所述凹槽内的栅介质层上生长栅金属形成T型栅电极； 刻蚀所述源电极和所述漏电极上的钝化层直至所述源电极和所述漏电极，分别在所述源电极、所述漏电极和所述T型栅电极上生长互联电极。

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