东方晶源微电子科技(北京)有限公司高世嘉获国家专利权
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龙图腾网获悉东方晶源微电子科技(北京)有限公司申请的专利一种光刻模型优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114357928B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111680682.1，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种光刻模型优化方法是由高世嘉设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻模型优化方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光刻建模技术领域，特别涉及一种光刻模型优化方法，用于降低光刻模型中的格点依赖性影响，包括以下步骤：获取实际关键尺寸，根据获取的实际关键尺寸计算对应的预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性；根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性至少获取到各个预设关键尺寸的最大偏移位置及最大格点依赖性两种关键数值；根据与各个预设关键尺寸相对应的至少两种关键数值对预设关键尺寸的格点依赖性进行评估；根据评估结果对相应的预设关键尺寸进行调整；此设计能解决现有光刻模型格点依赖性太大的问题。
本发明授权一种光刻模型优化方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻模型优化方法，用于降低光刻模型中的格点依赖性影响，其特征在于，包括以下步骤： 生成初始光学模型，从所述初始光学模型中获取实际关键尺寸，根据所述实际关键尺寸计算对应的预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性； 根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性至少分别获取到每个预设关键尺寸的最大偏移位置及最大格点依赖性两种关键数值； 根据与各个预设关键尺寸相对应的至少两种关键数值对预设关键尺寸的格点依赖性进行评估； 根据评估结果对相应的预设关键尺寸进行调整。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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