台湾积体电路制造股份有限公司杨智凯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于多步骤定向图案化的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334615B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111106915.7，技术领域涉及：H10P76/00；该发明授权用于多步骤定向图案化的系统和方法是由杨智凯;沈育佃;张湘明;张钧彦;张雅惠;简薇庭;陈佳政;陈亮吟设计研发完成，并于2021-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于多步骤定向图案化的系统和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及用于多步骤定向图案化的系统和方法。一种半导体工艺系统包括被配置为轰击晶圆上的光致抗蚀剂结构的离子源。该半导体工艺系统通过在具有不同特性的多个不同离子轰击步骤中用离子轰击光致抗蚀剂结构，来减小光致抗蚀剂结构的宽度。
本发明授权用于多步骤定向图案化的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体工艺的方法，包括： 在衬底上沉积光致抗蚀剂； 在所述光致抗蚀剂中形成沟槽； 通过以下方式来加宽所述沟槽： 用来自第一角度的离子轰击所述沟槽的第一侧面，以及 用来自不同于所述第一角度的第二角度的离子轰击所述沟槽的第一侧面， 其中，所述第一角度被确定为使得所述第一侧面的下部不被离子轰击，而所述第一侧面的上部被离子轰击，并且所述第二角度被确定为使得所述第一侧面的下部和上部两者都被离子轰击，并且其中，来自所述第一角度的离子具有第一能量，该第一能量不去除所述光致抗蚀剂，但是减少所述光致抗蚀剂的硬化，并且来自所述第二角度的离子具有不同于所述第一能量的第三能量，该第三能量去除所述光致抗蚀剂的一部分。
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