复旦大学晁鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种隧穿效率可调的半浮栅晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111477722.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种隧穿效率可调的半浮栅晶体管及其制备方法是由晁鑫;王晨;陈琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种隧穿效率可调的半浮栅晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种隧穿效率可调的半浮栅晶体管及其制备方法。该隧穿效率可调的半浮栅晶体管制备方法包括以下步骤：形成P阱区,进行第一次轻掺杂N型离子注入形成N阱区，以形成半浮栅晶体管的沟道杂质分布，N阱区位于P阱区上方；刻蚀形成U形槽，使U型槽贯穿N阱区；形成第一栅氧化层，在N阱区表面形成窗口，形成半浮栅，使其在窗口处与N阱区相接触；之后进行边缘刻蚀，使邻接窗口一侧的部分N阱区的表面露出，进行第二次重掺杂N型离子注入，在N阱区中形成N++掺杂区，以调控隧穿晶体管的隧穿效率；形成控制栅介质，使其覆盖半浮栅并延伸覆盖部分N++掺杂区，接着形成控制栅，使其覆盖控制栅介质；在控制栅两侧形成源区和漏区。
本发明授权一种隧穿效率可调的半浮栅晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种隧穿效率可调的半浮栅晶体管制备方法，其特征在于， 包括以下步骤： 在衬底的器件制作区域形成P阱区,接着进行第一次轻掺杂N型离子注入形成N阱区，以形成半浮栅晶体管的沟道杂质分布，所述N阱区位于所述P阱区上方； 刻蚀形成U型槽，使U型槽贯穿所述N阱区； 淀积第一栅氧化层，使其覆盖U型槽表面和N阱区表面，随后进行刻蚀，在所述N阱区表面靠近漏区一侧的位置形成窗口，接着形成半浮栅，使其覆盖第一栅氧化层并完全填充所述U型槽，且在窗口处与所述N阱区相接触； 进行边缘刻蚀，使邻接窗口一侧的部分所述N阱区的表面露出，进行第二次重掺杂N型离子注入，在所述N阱区中形成N+掺杂区，以调控隧穿晶体管的隧穿效率； 形成控制栅介质，使其覆盖半浮栅并延伸覆盖部分所述N+掺杂区，接着形成控制栅，使其覆盖控制栅介质； 在所述控制栅两侧形成源区和漏区，其中，源区形成于N阱区上部，漏区形成于N+掺杂区的上部。
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