华虹半导体(无锡)有限公司郑晓辉获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利图像传感器的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111547475.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器的形成方法是由郑晓辉;张栋;范晓;李佳龙设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器的形成方法在说明书摘要公布了：一种图像传感器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有第一离子；在所述衬底内形成若干深沟槽；在所述深沟槽内形成掺杂外延层，所述掺杂外延层填充满深沟槽，所述掺杂外延层内具有第二离子，所述第二离子与所述第一离子的电学类型不同，所述掺杂外延层包括第一区以及位于所述第一区上的第二区，所述第二区的侧壁与所述第一区的侧壁之间具有夹角；采用第一平坦化处理，去除所述第二区。通过在所述深沟槽内形成所述掺杂外延层，掺杂外延层填充满深沟槽；再采用第一平坦化处理，去除第二区。利用在形成掺杂外延层之后，采用第一平坦化处理将发生晶格位错的第二区进行去除，进而有效减少白噪声的产生，以提升最终形成的图像传感器的性能。
本发明授权图像传感器的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内具有第一离子； 在所述衬底内形成若干深沟槽； 在所述深沟槽内形成掺杂外延层，所述掺杂外延层填充满所述深沟槽，所述掺杂外延层内具有第二离子，所述第二离子与所述第一离子的电学类型不同，所述掺杂外延层包括第一区以及位于所述第一区上的第二区，所述第二区的侧壁与所述第一区的侧壁之间具有夹角；其中， 所述深沟槽的开口呈现出锥形结构，以使得在所述第二区的所述掺杂外延层存在〈111〉面和〈100〉面的晶格生长，〈111〉面和〈100〉面的晶格生长速度不同造成晶格生长的晶格位错，进而使得所述第二区的侧壁与所述第一区的侧壁之间具有夹角； 采用第一平坦化处理，去除晶格位错的所述第二区、以及所述深沟槽呈现出锥形结构的开口部分。
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