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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利动态随机存取存储器的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121821B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210009719.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权动态随机存取存储器的形成方法是由华文宇;刘藩东;崔胜奇;汪亚设计研发完成，并于2022-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本动态随机存取存储器的形成方法在说明书摘要公布了：一种动态随机存取存储器的形成方法，包括：提供衬底，衬底具有第一面和第二面，衬底包括若干相互分立且平行于第一方向的有源区，且若干有源区沿第二方向排列，每个有源区均包括若干沟道区以及位于相邻沟道区之间的字线区；在字线区内的形成字线栅结构；在沟道区内形成第一隔离沟槽；在第一隔离沟槽的内壁表面形成调节结构，调节结构包括第一区以及位于第一区上的第二区，第二区的厚度大于第一区的厚度；形成覆盖层封闭第一隔离沟槽的顶部，在第一隔离沟槽内形成空腔。通过减小第一隔离沟槽的槽口尺寸，有效降低对第一隔离沟槽进行封口以形成空腔的工艺难度。以及减小封口时间的差异性，提升形成的各个空腔之间的均一性，进而提升器件结构的性能。

本发明授权动态随机存取存储器的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互分立且平行于第一方向的有源区，且若干所述有源区沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向不同，每个所述有源区均包括若干沟道区以及位于相邻所述沟道区之间的字线区，相邻所述有源区内的字线区沿第二方向排列； 在所述字线区内的形成字线栅结构，各所述字线栅结构平行于第二方向且沿第一方向排列，各所述字线栅结构贯穿若干所述有源区； 自所述第一面向所述第二面的方向刻蚀部分所述沟道区，在所述沟道区内形成第一隔离沟槽； 在所述第一隔离沟槽的内壁表面形成调节结构，所述调节结构包括第一区以及第二区，所述第二区到所述第一面的距离小于所述第一区到所述第一面的距离，且所述第二区的厚度大于所述第一区的厚度； 形成覆盖层封闭所述第一隔离沟槽的顶部，在所述第一隔离沟槽内形成空腔；其中， 所述调节结构包括：位于所述第一区和所述第二区侧壁的保护层、以及位于所述第二区侧壁的调节层； 在所述第一隔离沟槽的内壁表面形成调节结构的方法包括：在所述第一隔离沟槽的侧壁和底部表面形成保护层；在所述第一隔离沟槽内形成牺牲层，所述牺牲层位于所述保护层上，且所述牺牲层的顶部表面低于所述第一面；在形成所述牺牲层之后，在所述第一隔离沟槽暴露出的侧壁形成调节层，由所述保护层和所述调节层构成所述调节结构；在形成所述调节结构之后，去除所述牺牲层。

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