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龙图腾网获悉3M创新有限公司申请的专利光学叠堆和用于电子装置的壳体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114055876B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011102712.6，技术领域涉及：B32B27/06；该发明授权光学叠堆和用于电子装置的壳体是由龙凡;巴拉特·拉伊·阿查里雅;陈婧非;解会杰;胡喆;布拉德利·L·吉沃特;卡尔·A·斯托弗;赵霖;吉勒·J·伯努瓦;罗伯特·D·泰勒设计研发完成，并于2020-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本光学叠堆和用于电子装置的壳体在说明书摘要公布了：本发明提供光学叠堆和用于电子装置的壳体。一种用于电子装置的壳体包括光学膜，该光学膜对于基本上法向入射的光的光学透射率具有将第一波长范围和第二波长范围分开的带边缘，其中该第一波长范围从约400nm延伸至约700nm，而该第二波长范围为至少约100nm宽并且设置在约800nm和约1100nm之间。对于基本上法向入射的光，该光学膜在该第一波长范围内的平均光学反射率大于约90％，而该光学膜在第二波长范围内的平均光学透射率大于约80％。对于在约0.1Ghz至约90GHz的范围内的至少一个频率以及对于基本上法向入射的辐射，该光学膜透射至少约95％的所入射的辐射。光学叠堆可包括该光学膜。

本发明授权光学叠堆和用于电子装置的壳体在权利要求书中公布了：1.一种用于电子装置的壳体，所述壳体是所述电子装置的最外层且包括结合到光学透明的刚性基板的光学膜，所述光学膜主要通过光学干涉来透射和反射光，所述光学膜对于基本上法向入射的光和对于至少一个偏振态的光学透射率包括将第一波长范围和第二波长范围分开的带边缘，所述第一波长范围从400nm延伸至700nm，所述第二波长范围为至少100nm宽并且设置在800nm和1100nm之间，使得对于基本上法向入射的光和对于所述至少一个偏振态： 所述光学膜在所述第一波长范围内的平均光学反射率大于90%；并且 所述光学膜在所述第二波长范围内的平均光学透射率大于80%，其中使所述光学膜的所述光学透射率与下述波长相关联的对所述带边缘的最佳线性拟合具有大于2%m的斜率，所述波长至少跨越其中所述光学膜的所述光学透射率从10%增加至70%的波长范围，并且其中对于在0.1Ghz至90GHz的范围内的至少一个频率以及对于基本上法向入射的辐射，所述光学膜透射至少95%的所入射的辐射，其中对于在0.1Ghz至90GHz的范围内的至少一个频率，所述光学膜的介电损耗角正切小于0.02，其中所述光学膜包括多个聚合物层，所述多个聚合物层在其每一个端部处包括聚合物端部层，所述聚合物端部层和其间的每一个层的平均厚度小于300nm，所述多个聚合物层的平均层厚度与层数的曲线图包括： 左区域，所述左区域包括至少N4个按顺序排列的聚合物层，N4为大于5的整数； 第一中间区域，所述第一中间区域包括至少N1个按顺序排列的聚合物层，N1为大于50的整数； 第二中间区域，所述第二中间区域包括至少N2个按顺序排列的聚合物层，N2为大于10的整数；和 右区域，所述右区域包括至少N3个按顺序排列的聚合物层，N3为大于3的整数， 使得对所述左区域中所述至少N4个按顺序排列的聚合物层的线性拟合具有负线性斜率，所述负线性斜率具有大于每层数0.04nm的量值，其中r平方值大于0.8，对所述第一中间区域中所述至少N1个按顺序排列的聚合物层的线性拟合具有正线性斜率，所述正线性斜率具有每层数大于0.04nm的量值，其中r平方值大于0.8，对所述第二中间区域中所述至少N2个按顺序排列的聚合物层的线性拟合具有负线性斜率，所述负线性斜率具有大于每层数0.05nm的量值，其中r平方值大于0.8，并且对所述右区域中所述至少N3个按顺序排列的聚合物层的线性拟合具有正线性斜率，所述正线性斜率具有大于每层数1.2nm的量值，其中r平方值大于0.6。

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