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龙图腾网获悉江阴市新际科技有限公司申请的专利恒定失调电压轨对轨运算放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114024516B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111301686.4，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权恒定失调电压轨对轨运算放大器是由李海波设计研发完成，并于2021-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本恒定失调电压轨对轨运算放大器在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种恒定失调电压轨对轨运算放大器，所述轨对轨运算放大器包括：第一输入级运算放大单元，电性连接于电源电压VDD与基准电位之间，其包括若干MOS管及第一电阻R11，第一电阻R11用于产生第一失调电压；第一偏置增强控制单元及第一控制管，用于产生第一控制信号及第二控制信号；第二输入级运算放大单元，电性连接于电源电压VDD与基准电位之间，且与第一输入级运算放大单元电性连接，其包括若干MOS管及第二电阻R22，第二电阻R22用于产生第二失调电压；第二偏置增强控制单元及第二控制管，用于产生第三控制信号及第四控制信号。本发明的轨对轨运算放大器可工作于全摆幅电压范围，且在工作过程中具有恒定失调电压。

本发明授权恒定失调电压轨对轨运算放大器在权利要求书中公布了：1.一种恒定失调电压轨对轨运算放大器，其特征在于，所述轨对轨运算放大器包括： 第一输入级运算放大单元，电性连接于电源电压VDD与基准电位之间，其包括若干MOS管及第一电阻R1，第一电阻R1用于产生第一失调电压； 第一偏置增强控制单元及第一控制管，用于产生第一控制信号及第二控制信号，其中，第一控制信号用于控制第一控制管，以维持流经第一电阻R1的第一电流IR1稳定，第二控制信号用于在无法稳定第一电流IR1时关闭第一输入级运算放大单元； 第二输入级运算放大单元，电性连接于电源电压VDD与基准电位之间，且与第一输入级运算放大单元电性连接，其包括若干MOS管及第二电阻R2，第二电阻R2用于产生第二失调电压； 第二偏置增强控制单元及第二控制管，用于产生第三控制信号及第四控制信号，其中，第三控制信号用于控制第二控制管，以维持流经第二电阻R2的第二电流IR2稳定，第四控制信号用于在无法稳定第二电流IR2时关闭第二输入级运算放大单元； 所述第一输入级运算放大单元为NMOS输入级运算放大单元，其包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第十二NMOS管MN12、第十三NMOS管MN13、第十四NMOS管MN14、第一PMOS管MP1、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第六PMOS管MP6、第一电阻R1及第一电流源I1，其中： 第三PMOS管MP3的源极与电源电压VDD相连，栅极与漏极相连，第四PMOS管MP4的源极与电源电压VDD相连，栅极与漏极相连； 第一NMOS管MN1的栅极接第一信号输入端，漏极与第三PMOS管MP3的漏极相连，第二NMOS管MN2的栅极接第二信号输入端，漏极与第四PMOS管MP4的漏极相连，源极与第一电阻R1的第一端相连； 第一电流源I1的第一端与第一NMOS管MN1的源极和第一电阻R1的第二端相连，第二端接基准电位； 第一PMOS管MP1的源极与电源电压VDD相连，栅极与第三PMOS管MP3的栅极相连，漏极与第十二NMOS管MN12的漏极相连，第十二NMOS管MN12的栅极与第十二NMOS管MN12的漏极相连，源极接基准电位； 第六PMOS管MP6的源极与电源电压VDD相连，栅极与第四PMOS管MP4的栅极相连，漏极与第五NMOS管MN5的漏极相连，第五NMOS管MN5的栅极与第五NMOS管MN5的漏极相连，源极接基准电位； 第十四NMOS管MN14的漏极与第二输入级运算放大单元相连，源极与第十三NMOS管MN13的漏极相连，第十三NMOS管MN13的栅极与第十二NMOS管NM12的栅极相连，源极接基准电位； 第三NMOS管MN3的漏极接信号输出端，栅极与第十四NMOS管MN14的栅极相连，源极与第四NMOS管MN4的漏极相连，第四NMOS管MN4的栅极与第五NMOS管MN5的栅极相连，源极接基准电位； 所述第二输入级运算放大单元为PMOS输入级运算放大单元，其包括第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第十PMOS管MP10、第十一PMOS管MP11、第十六NMOS管MN16、第十七NMOS管MN17、第十八NMOS管MN18、第十九NMOS管MN19、第二十一NMOS管MN21、第二十二NMOS管MN22、第二电阻R2及第四电流源I4，其中： 第十七NMOS管MN17的源极接基准电位，栅极与漏极相连，第十八NMOS管MN18的源极接基准电位，栅极与漏极相连； 第七PMOS管MP7的栅极接第二信号输入端，漏极与第十七NMOS管MN17的漏极相连，第八PMOS管MP8的栅极接第一信号输入端，漏极与第十八NMOS管MN18的漏极相连，源极与第二电阻R2的第一端相连； 第二电流源I2的第一端接基准电位，第二端与第七PMOS管MP7的源极和第二电阻R2的第二端相连； 第十PMOS管MP10的源极与电源电压VDD相连，栅极与漏极相连，漏极与第二十一NMOS管MN21的漏极相连，第二十一NMOS管MN21的漏极与第十四NMOS管MN14的漏极相连，源极与第十六NMOS管MN16的漏极相连，栅极与第二偏置增强控制单元相连，第十六NMOS管MN16的栅极与第十七NMOS管MN17的栅极相连，源极接基准电位； 第十一PMOS管MP11的源极与电源电压VDD相连，栅极与第十PMOS管MP10的栅极相连，漏极与第二十二NMOS管MN22的漏极相连，第二十二NMOS管MN22的源极与第十九NMOS管MN19的漏极相连，栅极与第二偏置增强控制单元相连，第十九NMOS管MN19的栅极与第十八NMOS管MN18的栅极相连，源极接基准电位，第十一PMOS管MP11的漏极和第二十二NMOS管MN22的漏极接信号输出端。

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