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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005827B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111249022.8，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权集成电路器件及其制造方法是由郑在烨设计研发完成，并于2016-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括：衬底；第一鳍式有源区域和第二鳍式有源区域，它们在衬底上在第一方向上延伸；衬底上的第一栅线和第二栅线，它们在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及第一接触结构和第二接触结构。第一栅线和第二栅线分别与第一鳍式有源区域和第二鳍式有源区域交叉。第一接触结构位于第一栅线一侧的第一鳍式有源区域上并且接触第一栅线。第二接触结构位于第二栅线一侧的第二鳍式有源区域上。第一接触结构包括包含金属硅化物的第一下接触部分以及第一下接触部分上的第一上接触部分。第二接触结构包括包含金属硅化物的第二下接触部分以及第二下接触部分上的第二上接触部分。

本发明授权集成电路器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，包括： 多个鳍，所述多个鳍在第一方向上延伸，所述多个鳍在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开，所述多个鳍包括第一鳍和第二鳍； 第一下接触部分，其在所述第二方向上在所述第一鳍和所述第二鳍上方延伸，包括金属硅化物，并且覆盖所述第一鳍在所述第二方向上的相对侧壁； 第一下阻挡层，其包围所述第一下接触部分的侧壁和底表面，并且至少介于所述第一下接触部分与所述第一鳍的所述相对侧壁之间和所述第一下接触部分与所述第一鳍的上表面之间； 位于所述第一鳍上的第一栅线和位于所述第二鳍上的第二栅线，所述第一栅线和所述第二栅线在所述第二方向上延伸；以及 位于所述第一栅线和所述第一下接触部分上的第一上接触部分， 其中，所述第一上接触部分接触所述第一栅线和所述第一下接触部分， 所述第一上接触部分的底表面在所述第一方向上的宽度大于所述第一下接触部分的顶表面在所述第一方向上的宽度，并且 所述第一上接触部分和所述第一下接触部分之间的界面与所述第一上接触部分和所述第一栅线之间的界面共面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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