豪威科技股份有限公司刘家颖获国家专利权
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龙图腾网获悉豪威科技股份有限公司申请的专利半导体装置、半导体晶片和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309992B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010171982.6，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权半导体装置、半导体晶片和其制造方法是由刘家颖;杨武璋;刘嘉蓉;黄吉志设计研发完成，并于2020-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置、半导体晶片和其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体装置、半导体晶片和其制造方法。本公开提供了一种半导体装置。所述半导体装置包含半导体衬底和第一深沟槽隔离DTI结构，所述第一DTI结构填充有形成于所述半导体衬底上的介电材料。所述第一DTI结构安置在第一密封环区域中并延伸到所述半导体衬底中。所述半导体衬底具有像素阵列区域和第一密封环区域。所述第一密封环区域靠近所述半导体衬底的边缘并围绕所述像素阵列区域。所述第一DTI结构形成于所述第一密封环区域中并围绕所述像素阵列区域。
本发明授权半导体装置、半导体晶片和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括： 半导体衬底，所述半导体衬底具有像素阵列区域和第一密封环区域，其中所述第一密封环区域靠近所述半导体衬底的边缘并围绕所述像素阵列区域，其中所述第一密封环区域包括第一密封环；以及 第一深沟槽隔离结构，所述第一深沟槽隔离结构填充有形成于所述半导体衬底上的介电材料，所述第一深沟槽隔离结构安置在所述第一密封环区域中并延伸到所述半导体衬底中，其中所述第一深沟槽隔离结构是围绕所述像素阵列区域的连续的沟槽结构，以及 第二深沟槽隔离结构，所述第二深沟槽隔离结构填充有介电材料并且所述第二深沟槽隔离结构安置在所述第一密封环区域中和所述第一深沟槽隔离结构和所述像素阵列区域之间，其中所述第二深沟槽隔离结构是围绕所述像素阵列区域的连续的沟槽结构， 其中所述半导体衬底包括在所述像素阵列区域和所述第一密封环区域之间的第二密封环区域，其中所述第二密封环区域内安置有围绕所述像素阵列区域的第二密封环。
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