泰科天润半导体科技(北京)有限公司何佳获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223885549U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520455559.7，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS是由何佳;陈彤;周海;胡臻设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层连接至碳化硅衬底；续流区下侧面连接至漂移层上侧面；续流区内设有P型阱区、N型源区、掩蔽层以及凹槽；N型源区下侧面连接至P型阱区上侧面；P型阱区以及N型源区位于凹槽一侧；掩蔽层位于凹槽下方以及另一侧；绝缘介质层下部设于凹槽内，绝缘介质层下侧面连接至掩蔽层；绝缘介质层外侧面分别连接N型源区、P型阱区以及掩蔽层；绝缘介质层内设有沟槽；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层分别连接续流区、N型源区以及掩蔽层；漏极金属层连接至碳化硅衬底，能有效降低器件的体二极管导通损耗、提高器件的反向恢复速度、提高器件的栅极可靠性和源极大电流冲击可靠性。
本实用新型一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底； 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面； 续流区，所述续流区下侧面连接至所述漂移层上侧面；所述续流区内设有P型阱区、N型源区、掩蔽层以及凹槽；所述N型源区下侧面连接至所述P型阱区上侧面；所述P型阱区以及N型源区位于所述凹槽一侧；所述掩蔽层位于所述凹槽下方以及另一侧； 绝缘介质层，所述绝缘介质层下部设于所述凹槽内，所述绝缘介质层下侧面连接至所述掩蔽层；所述绝缘介质层外侧面分别连接所述N型源区、P型阱区以及掩蔽层；所述绝缘介质层内设有沟槽； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述续流区、N型源区以及掩蔽层； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底。
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