武汉兴通力电源技术有限公司刘爱国获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉兴通力电源技术有限公司申请的专利一种输入欠压保护电路获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223884945U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423075727.4,技术领域涉及:H02H3/24;该实用新型一种输入欠压保护电路是由刘爱国设计研发完成,并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种输入欠压保护电路在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种输入欠压保护电路,涉及电子电路技术领域,包括:整流单元、分压单元和反馈单元;所述整流单元包括整流桥,所述整流桥的输入端与输入电源连接,所述整流桥的输出端与分压单元连接;所述分压单元包括串联的电容模组和串联的分压电阻模组,所述分压单元的输出端与可调基准电压芯片连接,所述可调基准电压芯片通过MOSFET效应管与Ctrl引脚连接;所述Ctrl引脚外接PWM芯片,用于向所述PWM芯片输出控制电压。本实用新型通过共用电容和均压电阻进行电压检测,减少了检测电路所需的器件类型和器件数量,在满足输入电压欠压保护要求的基础上,极大地简化了检测电路的结构,降低了检测成本。
本实用新型一种输入欠压保护电路在权利要求书中公布了:1.一种输入欠压保护电路,其特征在于,包括:整流单元、分压单元和反馈单元;所述整流单元包括整流桥,所述整流桥的输入端与输入电源连接,所述整流桥的输出端与分压单元连接;所述分压单元包括串联的电容模组和串联的分压电阻模组,所述电容模组包括串联的第一电容C1和第二电容C2,所述分压电阻模组包括第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3,所述分压单元的输出端与可调基准电压芯片连接,所述可调基准电压芯片通过MOSFET效应管与Ctrl引脚连接;所述Ctrl引脚外接PWM芯片,用于向所述PWM芯片输出控制电压。
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