成都旭光电子股份有限公司马元杰获国家专利权
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龙图腾网获悉成都旭光电子股份有限公司申请的专利一种真空灭弧室触头及真空灭弧室获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223884352U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423307364.2，技术领域涉及：H01H33/664；该实用新型一种真空灭弧室触头及真空灭弧室是由马元杰;田志强;陈军平;罗海洋;曹欢设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种真空灭弧室触头及真空灭弧室在说明书摘要公布了：本实用新型涉及真空灭弧室的领域，公开了一种真空灭弧室触头及真空灭弧室，真空灭弧室触头包括动触头，动触头和静触头均呈圆柱状，动触头和静触头的顶部均设置有平面和斜面，斜面环绕连接在所述平面的边缘上，斜面与对应的触头的侧壁通过圆弧面过渡，所述平面与所述斜面形成的起伏位置为起弧位置，斜面与所述圆弧面形成的起伏位置为电场最强处，动触头的平面上设置有定位结构；静触头的平面上设置有与定位结构相配合的配合结构。真空灭弧室包括上述真空灭弧室触头。本实用新型的有益效果是，起弧位置和电场最强位置不在同一位置，可有效避免局部电场过度集中，降低局部放电发生概率，提高其耐受高电压能力，确保灭弧室的耐压性能和电气寿命。
本实用新型一种真空灭弧室触头及真空灭弧室在权利要求书中公布了：1.一种真空灭弧室触头，其特征在于，包括 动触头，所述动触头呈圆柱状，所述动触头的顶部设置有第一平面和第一斜面，所述第一斜面环绕连接在所述第一平面的边缘上，所述第一斜面与所述动触头的侧壁通过第一圆弧面过渡，所述第一平面与所述第一斜面形成的第一起伏位置为起弧位置，所述第一斜面与所述第一圆弧面形成的第二起伏位置为电场最强处，所述第一平面上设置有定位结构； 静触头，所述静触头呈圆柱状，所述静触头的顶部设置有第二平面和第二斜面，所述第二斜面环绕连接所述第二平面的边缘上，所述第二斜面与所述动触头的侧壁通过第二圆弧面过渡，所述第二平面与所述第二斜面形成的第三起伏位置为起弧位置，所述第二斜面与所述第二圆弧面形成的第四起伏位置为电场最强处，所述第二平面上设置有与所述定位结构相配合的配合结构。
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