中国科学院合肥物质科学研究院王忠建获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利高均匀度Bitter线圈的设计方法及高均匀度Bitter线圈获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121212053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511746704.8，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权高均匀度Bitter线圈的设计方法及高均匀度Bitter线圈是由王忠建;房震;李见;苏剑;张勇;钱新星设计研发完成，并于2025-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本高均匀度Bitter线圈的设计方法及高均匀度Bitter线圈在说明书摘要公布了：本发明提供了高均匀度Bitter线圈的设计方法，属于Bitter线圈领域，计算出第一Bitter线圈的最大电磁应力；在Bitter片厚度的基础上按照设定增量逐步增加Bitter片厚度，得到Bitter片厚度，得到第二Bitter线圈，将第一Bitter线圈中心区域的匝线圈替换为匝第二Bitter线圈，得到新线圈，匝数从1匝开始按照步长为1匝逐步增加，得到磁场均匀度小于设定值且线圈高度小于设定高度的匝数、；计算出线圈的中心场，选择中心场最高的匝数；还提供了Bitter线圈；省去加工环形导电垫工作量。
本发明授权高均匀度Bitter线圈的设计方法及高均匀度Bitter线圈在权利要求书中公布了：1.高均匀度Bitter线圈的设计方法，其特征在于：包括： 根据第一Bitter线圈的内半径、外半径、Bitter片厚度，计算出第一Bitter线圈在匝数、Bitter片数下承受的最大电磁应力； 在Bitter片厚度的基础上按照设定增量逐步增加Bitter片厚度，得到Bitter片厚度，在每个Bitter片厚度下，结合内半径、外半径、Bitter片数，得到第二Bitter线圈，将匝第一Bitter线圈中心区域的匝线圈替换为匝第二Bitter线圈，得到新线圈，匝数从1匝开始按照步长为1匝逐步增加，直到线圈中心点设定直径球内的磁场均匀度最小，得到磁场均匀度小于设定值且线圈高度小于设定高度的匝数、，为匝第一Bitter线圈中被第二Bitter线圈替换后的剩余匝数，为偶数； 查找出线圈内径沿轴线方向的最大磁场点的坐标和磁场数值，计算出最大磁场点的线圈磁场系数，基于最大电磁应力计算出线圈的通入电流最大值，根据通入电流最大值计算出线圈的中心场，选择中心场最高的匝数、。
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