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龙图腾网获悉广东芯聚能半导体有限公司申请的专利功率器件的分层封装结构及分层封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121172017B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511706426.3，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权功率器件的分层封装结构及分层封装方法是由邸梓轩;陈泳槟;崔晓;闫鹏修;朱贤龙;张晓松设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件的分层封装结构及分层封装方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种功率器件的分层封装结构及分层封装方法。该功率器件的分层封装结构包括：依次层叠的驱动回路层、功率回路层和芯片层，通过第一孔洞，驱动电路层能与功率回路层实现电气连接，通过第二孔洞和第三孔洞，驱动回路层能与芯片层实现电气连接，从而使得驱动回路层能够驱动芯片层，以使功率器件工作。与传统的基于键合线实现电气连接的方案相比，这种功率器件的分层封装结构为三维空间布局结构，各层之间不存在导电线路，能够避免层间电场集中，各层之间的电气连接依赖于第一孔洞、第二孔洞和第三孔洞，从而实现驱动回路层与功率回路层的直接连接、驱动回路层与芯片层的直接连接以及功率回路层与芯片层的直接连接。

本发明授权功率器件的分层封装结构及分层封装方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件的分层封装结构，其特征在于，包括：依次层叠的驱动回路层、功率回路层和芯片层； 其中，所述驱动回路层上有第一孔洞和第二孔洞，所述功率回路层上有第三孔洞，且所述第一孔洞、所述第二孔洞和所述第三孔洞内均填充有导电浆料；所述驱动回路层上的第二孔洞在所述功率回路层上的投影和所述第三孔洞重合； 所述驱动回路层经所述第一孔洞与所述功率回路层连接，所述驱动回路层经所述第二孔洞和所述第三孔洞与所述芯片层连接，所述功率回路层经所述第三孔洞与所述芯片层连接；所述驱动回路层用于驱动所述芯片层； 其中，所述驱动回路层包括：依次层叠的第一驱动回路层和第二驱动回路层； 其中，所述第一驱动回路层相较于所述第二驱动回路层远离所述功率回路层设置； 所述第一孔洞包括所述第一驱动回路层上的第一子孔洞以及所述第二驱动回路层的第二子孔洞，且所述第一子孔洞在所述第二驱动回路层上的投影与所述第二子孔洞重合； 所述第一驱动回路层经所述第一子孔洞和所述第二子孔洞与所述功率回路层连接，所述第二驱动回路层经所述第二孔洞和所述第三孔洞与所述芯片层连接；所述第一驱动回路层和所述第二驱动回路层均用于驱动所述芯片层； 其中，所述第一驱动回路层包括：第一陶瓷板和集成在所述第一陶瓷板上的第一驱动回路电路； 所述第一驱动回路电路的信号线延伸至所述第一子孔洞； 所述第二驱动回路层包括：第二陶瓷板和集成在所述第二陶瓷板上的第二驱动回路电路； 所述第二驱动回路电路的信号线延伸至所述第二孔洞； 其中，所述第一驱动回路电路包括独立设置的第一上桥回路和第一下桥回路，所述第二驱动回路电路包括独立设置的第二上桥回路和第二下桥回路； 其中，所述第一上桥回路所在的电路区域在所述第二驱动回路电路上的投影和所述第二上桥回路所在的电路区域重合，所述第一下桥回路所在的电路区域在所述第二驱动回路电路上的投影和所述第二下桥回路所在的电路区域重合；其中，所述第一上桥回路和所述第一下桥回路之间的间距大于或等于预设电压要求下的绝缘间距； 所述第一上桥回路的信号线延伸至所述第一子孔洞中的第一上桥孔洞，所述第一下桥回路的信号线延伸至所述第一子孔洞中的第一下桥孔洞；所述第二上桥回路的信号线延伸至所述第二孔洞中的第二上桥孔洞，所述第二下桥回路的信号线延伸至所述第二孔洞中的第二下桥孔洞。

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