合肥晶合集成电路股份有限公司张仁伟获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种光刻胶涂布方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121165399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511705451.X,技术领域涉及:G03F7/16;该发明授权一种光刻胶涂布方法是由张仁伟;张祥平设计研发完成,并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻胶涂布方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种光刻胶涂布方法,包括以下步骤:建立晶圆翘曲度与光刻胶膜厚的物理模型;提供一晶圆,根据设计厚度对晶圆进行第一次光刻胶涂布,以形成光刻胶膜层;量测光刻胶膜层在晶圆各位置处的厚度,以得到光刻胶膜厚分布图;基于物理模型和光刻胶膜厚分布图,通过至少一次动态补偿涂布方式将厚度不足位置处的厚度补足至设计厚度。本发明通过基于物理模型和光刻胶膜厚分布图,通过至少一次动态补偿涂布方式将厚度不足位置处的厚度补足至设计厚度,可以解决晶圆翘曲导致的光刻胶膜层的厚度不均一和晶圆边缘涂布缺陷等问题,同时,通过动态补偿涂布方式针对性的对厚度不足位置处进行厚度补足,可以解决光刻胶材料浪费严重的问题。
本发明授权一种光刻胶涂布方法在权利要求书中公布了:1.一种光刻胶涂布方法,其特征在于,包括以下步骤: 收集历史数据,并根据所述历史数据建立数据库,所述历史数据包括光刻胶类型、晶圆类型、光刻胶厚度、光刻胶喷涂量和Bow值; 建立物理模型; 根据所述数据库优化所述物理模型,所述物理模型为如下公式: h∝c*v*R2Bow值14; 其中,h为光刻胶膜层的厚度;c为光刻胶的喷涂量;v为光刻胶的粘度;R为翘曲位置到喷涂中心的距离;Bow值表征晶圆翘曲度的参数; 提供一晶圆,根据设计厚度对所述晶圆进行第一次光刻胶涂布,以形成光刻胶膜层; 量测所述光刻胶膜层在所述晶圆各位置处的厚度,以得到光刻胶膜厚分布图; 根据所述物理模型反推所述厚度不足位置处的理论喷涂量差值; 移动喷头至所述厚度不足位置处,并以所述理论喷涂量差值的喷涂量进行光刻胶喷涂; 量测所述厚度不足位置处的光刻胶补偿厚度,以得到光刻胶膜厚补偿分布图,以及在所述晶圆各位置处光刻胶膜层的厚度,以得到叠加光刻胶膜厚分布图; 在所述晶圆的各位置处光刻胶膜层的厚度达标时结束补偿;在所述晶圆的各位置处光刻胶膜层的厚度不达标时返回步骤:根据所述物理模型对厚度不足位置处进行光刻胶补偿喷涂。
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