山东大学孙逊获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利基于位错产生寄生电容效应的光导开关、制备及调谐方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121165339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511704608.7，技术领域涉及：G02F1/025；该发明授权基于位错产生寄生电容效应的光导开关、制备及调谐方法是由孙逊;肖龙飞;李阳凡;陈秀芳;徐现刚设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于位错产生寄生电容效应的光导开关、制备及调谐方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于位错产生寄生电容效应的光导开关、制备及调谐方法，涉及半导体器件技术领域。该制备方法包括步骤：制备碳化硅衬底，在碳化硅衬底上进行错位分析获得不同位错密度衬底区间，并对不同位错密度衬底区间进行分区；在碳化硅衬底上制备复合金属层，并通过光刻、显影、剥离等工艺得到带有光导开关电极结构的正片碳化硅晶片；将去除非电极区域的碳化硅晶片进行合金处理，得到光导开关，之后对光导开关进行划片，获得单个分立的光导半导体器件。本发明通过对光导开关器件衬底位错密度进行调控，利用位错缺陷所引入的电容效应实现对光导开关输出信号半峰宽与频谱的可调谐。
本发明授权基于位错产生寄生电容效应的光导开关、制备及调谐方法在权利要求书中公布了：1.一种基于位错产生寄生电容效应的光导开关的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 制备碳化硅衬底，在碳化硅衬底上进行错位分析获得不同位错密度衬底区间，并对不同位错密度衬底区间进行分区； 在碳化硅衬底上制备复合金属层，在碳化硅电极区域形成局部光刻胶保护区域，并依次通过光刻、剥离得到带有光导开关电极结构的正片碳化硅晶片； 将去除非电极区域的碳化硅晶片进行合金处理，得到光导开关，之后对光导开关进行划片，获得单个分立的光导半导体器件； 光导半导体器件通过激光或机械划片进行划片处理，获得单个分立的光导半导体器件，通过碳化硅衬底背面上不同位错密度的激光划线进行开关分类。
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