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龙图腾网获悉中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所申请的专利宽波导高耦合效率氮化硅微环谐振腔结构及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121165247B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511704540.2，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权宽波导高耦合效率氮化硅微环谐振腔结构及其设计方法是由李维;冯梁森;武腾飞;陈佳旭;李昱东;韩艳晨设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽波导高耦合效率氮化硅微环谐振腔结构及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽波导高耦合效率氮化硅微环谐振腔结构及其设计方法，所述结构包括SiO22衬底、被刻蚀在SiO22衬底上方的Si33N44微环腔和Si33N44高斯滤模滑轮耦合器以及SiO22上包层；Si33N44微环腔由环形波导与从环形波导缩窄的绝热收缩锥形滤模波导连接构成，绝热收缩锥形滤模波导的宽度随其位置的变化满足高斯函数；绝热收缩锥形滤模波导最窄处的宽度使得环形波导与绝热收缩锥形滤模波导内仅存在基模；高斯滤模滑轮耦合器作为耦合波导设置在微环谐振腔的耦合区域，高斯滤模滑轮耦合器的半径变化与绝热收缩锥形滤模波导的宽度变化满足相同的高斯函数。本发明能够在实现高品质因子的同时，增强耦合效果并保证单模条件。

本发明授权宽波导高耦合效率氮化硅微环谐振腔结构及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种宽波导高耦合效率氮化硅微环谐振腔结构，其特征在于，包括SiO2衬底、被刻蚀在SiO2衬底上方的Si3N4微环腔和Si3N4高斯滤模滑轮耦合器以及叠加在Si3N4微环腔和Si3N4高斯滤模滑轮耦合器上方的SiO2上包层； Si3N4微环腔由环形波导与从环形波导缩窄的绝热收缩锥形滤模波导连接构成，所述绝热收缩锥形滤模波导设置在微环谐振腔的耦合区域，绝热收缩锥形滤模波导的宽度随其位置的变化满足以下高斯函数： , 其中，wz为在z位置处绝热收缩锥形滤模波导的宽度，wstart为环形波导的宽度，σ为控制绝热收缩锥形滤模波导的宽度变化快慢的参数； 绝热收缩锥形滤模波导最窄处的宽度使得环形波导与绝热收缩锥形滤模波导内仅存在基模，从而实现单模传输；高斯滤模滑轮耦合器作为耦合波导设置在微环谐振腔的耦合区域，高斯滤模滑轮耦合器的半径随绝热收缩锥形滤模波导的宽度而变化，高斯滤模滑轮耦合器的半径变化与绝热收缩锥形滤模波导的宽度变化满足相同的高斯函数，从而始终与绝热收缩锥形滤模波导保持等间隔； 参数σ设定为σ=6L，L为绝热收缩锥形滤模波导的工艺确定的最大允许锥长。

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