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龙图腾网获悉新磊半导体科技(苏州)股份有限公司申请的专利一种半导体外延片表面点缺陷密度表征方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121164318B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511726869.9，技术领域涉及：G01N21/95；该发明授权一种半导体外延片表面点缺陷密度表征方法是由郭帅;蒋建;谢小刚设计研发完成，并于2025-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体外延片表面点缺陷密度表征方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体外延片表面点缺陷密度表征方法，涉及半导体测试技术领域。该方法包括：针对完整尺寸的外延片，通过外延片表面点缺陷自动测试设备获取多个外延片中每一个外延片的表面点缺陷密度数据，作为第一数据；利用显微镜观测获取每一个外延片上多个指定位置处的局部表面点缺陷数目；针对每一个外延片，计算对应的第二数据；对第一数据与第二数据进行线性拟合，以获得线性函数关系；针对非完整尺寸的外延片，观测并计算第二数据，并利用线性函数关系计算获得对应的第一数据。该方法能够实现非完整尺寸外延片的表面点缺陷密度数据的标准化表征测试，为外延生长提供了一种方便且可行的测试方法。

本发明授权一种半导体外延片表面点缺陷密度表征方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延片表面点缺陷密度表征方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤a、针对完整尺寸的预设规格的外延片，通过外延片表面点缺陷自动测试设备分别获取多个外延片中每一个外延片的完整有效区域的表面点缺陷密度数据，将该表面点缺陷密度数据作为对应外延片的第一数据； 步骤b、利用光学显微镜在预设放大倍数下观测获取所述多个外延片中每一个外延片上多个指定位置处中每一个指定位置处的局部表面点缺陷数目，局部表面点缺陷数目表示在所述预设放大倍数下在显微镜视场内可观察到的全部点缺陷的总个数； 步骤c、针对所述多个外延片中的每一个外延片，计算对应的第二数据，第二数据t通过如下获得：t=s+ps，其中s表示步骤b中获得的多个指定位置处的局部表面点缺陷数目的平均值，p表示所述多个指定位置处的局部表面点缺陷数目的标准差； 步骤d、针对所述多个外延片，对第一数据与第二数据进行线性拟合，以获得线性函数关系； 步骤e、针对非完整尺寸的待表征的外延片，采用光学显微镜观测并计算该外延片的第二数据，并利用所述线性函数关系计算获得对应的第一数据，待表征的外延片与预设规格的外延片具有相同的衬底材质及外延结构。

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