松诺盟科技有限公司范敏获国家专利权
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龙图腾网获悉松诺盟科技有限公司申请的专利一种陶瓷基纳米薄膜压力芯体及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121140995B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511682307.9，技术领域涉及：G01L1/18；该发明授权一种陶瓷基纳米薄膜压力芯体及其制造方法是由范敏;雷卫武;周柏林;徐建;刘素夫设计研发完成，并于2025-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种陶瓷基纳米薄膜压力芯体及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种陶瓷基纳米薄膜压力芯体及其制造方法，属于陶瓷压阻式传感器芯体技术领域，其由下到上依次包括:陶瓷基底、界面过渡层、复合纳米膜层、金层和掺杂二氧化硅保护层；复合纳米膜层由下到上依次为镍铬合金层、镍铜合金层；界面过渡层是磁控溅射沉积在陶瓷基底表面的钛铝合金层；掺杂二氧化硅保护层中含1~3wt%BN、0.5~2.0wt%Ga22O33和余量SiO22。本发明通过界面过渡层改善陶瓷和金属合金纳米薄膜层的相容性问题，通过掺杂二氧化硅保护层提高芯体的绝缘性能。解决传统芯体精度低、温漂大、绝缘差的问题，适配高压电力系统等严苛场景。
本发明授权一种陶瓷基纳米薄膜压力芯体及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种陶瓷基纳米薄膜压力芯体，其特征在于，由下到上依次包括:陶瓷基底、界面过渡层、复合纳米膜层、金层和掺杂二氧化硅保护层； 所述复合纳米膜层由下到上依次为镍铬合金层、镍铜合金层； 所述界面过渡层是磁控溅射沉积在陶瓷基底表面的钛铝合金层； 所述掺杂二氧化硅保护层中含1~3wt%BN、0.5~2.0wt%Ga2O3和余量SiO2。
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