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龙图腾网获悉盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司申请的专利一种基于漏电流的半导体工艺冷却控制系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121123081B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511659549.6，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种基于漏电流的半导体工艺冷却控制系统及方法是由杨俊雅;戴瑞鑫设计研发完成，并于2025-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于漏电流的半导体工艺冷却控制系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于漏电流的半导体工艺冷却控制系统及方法，其属于半导体工艺冷却技术领域，所述半导体工艺冷却控制系统中，若干去离子罐并联，CO22气罐的出口与任意一个去离子罐的入口相连，若干去离子罐的出口均与工艺腔室的入口相连，若干去离子罐的入口均与工艺腔室的出口相连，工艺腔室的入口外侧设有采样模块，采样模块定期获取流过液体的实时漏电流和实时电阻率并上传到主控模块，主控模块根据实时漏电流和实时电阻率控制若干去离子罐和CO22气罐的出口开关状态。本发明通过实时电阻率和实时漏电流实现对各去离子罐和CO22气罐的出口开关状态进行控制，实现闭环控制，避免了停机带来的产能浪费，提高整体稳定性。

本发明授权一种基于漏电流的半导体工艺冷却控制系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于漏电流的半导体工艺冷却控制系统，其特征在于，包括若干去离子罐、工艺腔室、CO2气罐Q1、采样模块C1和主控模块，所述若干去离子罐并联，所述CO2气罐Q1的出口与任意一个所述去离子罐的入口相连，所述若干去离子罐的出口均与所述工艺腔室的入口相连，所述若干去离子罐的入口均与所述工艺腔室的出口相连，所述工艺腔室的入口外侧设有采样模块C1，所述采样模块C1用于定期获取流过液体的实时漏电流和实时电阻率并上传到所述主控模块，所述主控模块用于根据实时漏电流和实时电阻率控制若干去离子罐和CO2气罐Q1的出口开关状态； 所述基于漏电流的半导体工艺冷却控制系统采用基于漏电流的半导体工艺冷却控制方法，所述半导体工艺冷却控制方法包括以下步骤： 通过采样模块C1获取实时电阻率和实时漏电流； 主控模块根据实时电阻率和预设的标定电阻率生成控制指令； 通过所述控制指令对所述若干去离子罐和所述CO2气罐Q1的开关状态进行调节； 根据实时漏电流和预设的漏电流下限值判断是否满足收敛条件，所述收敛条件为收敛状态并持续预设时间，所述收敛状态为所述实时漏电流和所述漏电流下限差的绝对值小于等于漏电流误差，所述预设时间至少为30s； 当满足所述收敛条件时，维持调节后的开关状态，当不满足收敛条件时继续进行调节。

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