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龙图腾网获悉尼普顿电器(昆山)有限公司申请的专利高压直流接触器封接工艺及高压直流接触器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121122968B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511668910.1，技术领域涉及：H01H49/00；该发明授权高压直流接触器封接工艺及高压直流接触器是由李一挺;蔡一飞设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本高压直流接触器封接工艺及高压直流接触器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高压直流接触器封接工艺及高压直流接触器，封接工艺包括以下步骤：提供陶瓷组件、导磁板、铁芯套筒及封接片，组装后进行激光焊接形成初步密封组合体，并转移至封接设备中；将封接片放置于陶瓷组件或导磁板上的气路通孔处，并使集成式接头与气路通孔周边区域贴合；抽真空装置通过多通管件对密封腔体进行抽真空，真空度达到预设要求后，关闭抽真空装置；充气装置通过多通管件向密封腔体充入保护气体；充气完成后，关闭充气装置；电阻焊装置通过电阻焊接头推动封接片抵接于陶瓷组件或导磁板，并采用电阻焊工艺对封接片进行焊接，以完全密封气路通孔。本发明能够提高生产效率，降低成本与产品漏率，提升长期密封性。

本发明授权高压直流接触器封接工艺及高压直流接触器在权利要求书中公布了：1.一种高压直流接触器封接工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1，提供陶瓷组件1、导磁板2、铁芯套筒3及封接片4，所述陶瓷组件1或所述导磁板2开设有气路通孔10； S2，将所述陶瓷组件1、所述导磁板2及所述铁芯套筒3依次组装后进行激光焊接，使三者形成围绕预设密封腔体20的初步密封组合体，所述气路通孔10通向所述密封腔体20； S3，将所述初步密封组合体转移至封接设备中；其中，所述封接设备包括抽真空装置、充气装置、电阻焊装置和集成式接头，所述集成式接头包括多通管件5、波纹管6和电阻焊接头7，所述电阻焊接头7穿设于所述多通管件5和所述波纹管6中，并且所述多通管件5通过所述波纹管6密封连接于所述电阻焊接头7一端的封板701； S4，将所述封接片4放置于所述陶瓷组件1或所述导磁板2上的气路通孔10处，并使所述集成式接头与所述气路通孔10周边区域贴合；此时，所述电阻焊接头7的另一端与所述封接片4相对分布，且为所述封接片4留有活动空间； S5，所述抽真空装置通过所述多通管件5对所述密封腔体20进行抽真空；当所述密封腔体20内部真空度达到预设要求后，关闭所述抽真空装置；所述充气装置通过所述多通管件5向所述密封腔体20充入保护气体；充气完成后，关闭所述充气装置； S6，所述电阻焊装置通过所述电阻焊接头7推动所述封接片4抵接于所述陶瓷组件1或所述导磁板2，并采用电阻焊工艺对所述封接片4进行焊接，以完全密封所述气路通孔10； 其中，所述多通管件5的轴向两端均敞口设置，并且其中一端与所述波纹管6焊接，另一端固定有密封圈8；步骤S4中，所述集成式接头通过所述密封圈8与所述陶瓷组件1或所述导磁板2的气路通孔10周边区域紧密贴合；所述多通管件5的外周面上开设有抽气口501和充气口502，所述抽气口501和所述充气口502均经所述多通管件5内部腔体及所述气路通孔10连通所述密封腔体20；所述抽真空装置与所述抽气口501连接，所述充气装置与所述充气口502连接。

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