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龙图腾网获悉华辰芯光(无锡)半导体有限公司申请的专利垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121097503B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511650620.4，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法是由洪斌;向磊;魏明设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电子器件技术领域，公开了垂直腔面发射激光器及其制备方法。制备方法包括：提供衬底层；在衬底层的一侧表面形成外延结构，外延结构为砷化镓基结构，包括层叠设置的第一反射镜层、第一限制层、有源层、第二限制层和第二反射镜层；在第二反射镜层一侧进行选择性砷离子注入，形成深入第二反射镜层部分厚度的环状的离子调制层，内部形成电流注入和出光的第一光孔，其电阻率大于第二反射镜层的电阻率，折射率小于第二反射镜层的折射率；在外延结构上形成覆盖第二反射镜层和离子调制层的接触层；在接触层上形成与接触层电连通且与第一光孔错位的第一电极。本发明中，砷离子注入形成的离子调制层高阻、稳定、无应力，满足高速光通信需求。

本发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底层； 在所述衬底层的一侧表面形成外延结构，所述外延结构为砷化镓基结构，包括自所述衬底层依次层叠设置的第一反射镜层、第一限制层、有源层、第二限制层和第二反射镜层，所述第二反射镜层包括多组周期性堆叠的低折射率层和高折射率层； 在所述外延结构的所述第二反射镜层一侧进行选择性砷离子注入，以形成深入所述第二反射镜层部分厚度的离子调制层，所述离子调制层的注入峰值深度在所述第二反射镜层的材料周期组数的15~25之间；所述离子调制层呈环状，其内部形成用于电流注入和出光的第一光孔，所述离子调制层的电阻率大于所述第二反射镜层的电阻率，且所述离子调制层的折射率小于所述第二反射镜层的折射率； 在所述外延结构背离所述衬底层的一侧形成接触层，所述接触层覆盖所述第二反射镜层和所述离子调制层； 在所述接触层背离所述衬底层的一侧形成第一电极，所述第一电极与所述接触层电连通且与所述第一光孔错位设置。

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