合肥晶合集成电路股份有限公司张燚获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利晶圆键合方法及晶圆键合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121096855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511633045.7，技术领域涉及：H10P10/00；该发明授权晶圆键合方法及晶圆键合结构是由张燚设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆键合方法及晶圆键合结构在说明书摘要公布了：本发明提供晶圆键合方法及晶圆键合结构，在第一晶圆上形成第一键合层以及在第二晶圆上形成第二键合层，第一键合层和第二键合层内具有孔隙，在第一键合层内形成第一致密层并在第二键合层内形成第二致密层，对第一晶圆和第二晶圆进行热处理以使第一键合层和第二键合层中的孔隙闭合，键合第一键合层与第二键合层以形成晶圆键合结构。本发明意想不到的效果是，通过在用于键合的第一键合层中形成第一致密层以及在第二键合层中形成第二致密层，致密化第一键合层和第二键合层的键合界面，减少第一键合层和第二键合层中吸附的水分子，达到改善晶圆键合后退火工艺中因第一键合层和第二键合层中水分子逸出形成的气泡之目的，提高了键合器件的良率。
本发明授权晶圆键合方法及晶圆键合结构在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括： 在第一晶圆上形成第一键合层以及在第二晶圆上形成第二键合层，所述第一键合层和所述第二键合层内具有孔隙； 在所述第一键合层内形成第一致密层以及在所述第二键合层内形成第二致密层； 对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行热处理，以使所述第一键合层和所述第二键合层中的孔隙闭合； 键合所述第一键合层与所述第二键合层，以形成晶圆键合结构； 其中，在所述第一键合层内形成所述第一致密层以及在所述第二键合层内形成所述第二致密层包括： 对所述第一键合层执行离子注入工艺,在所述第一键合层的预设区域形成所述第一致密层； 对所述第二键合层执行离子注入工艺,在所述第二键合层的预设区域形成所述第二致密层。
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