礴添(上海)微电子有限公司卢子峰获国家专利权
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龙图腾网获悉礴添(上海)微电子有限公司申请的专利多重深沟槽绝缘柱高导电度绝缘栅双极型晶体管及其制程获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121078741B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511596870.4，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权多重深沟槽绝缘柱高导电度绝缘栅双极型晶体管及其制程是由卢子峰;简凤佐;程新风设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本多重深沟槽绝缘柱高导电度绝缘栅双极型晶体管及其制程在说明书摘要公布了：本申请公开一种多重深沟槽绝缘柱高导电度绝缘栅双极型晶体管及其制程，涉及功率半导体制作技术领域，包括射极端与集极端，射极端包括发射区、基区及绝缘层，基区两侧为沟槽式栅极；射极端还包括电位可浮动P型区域及其中多个深沟槽绝缘柱；该P型区域由绝缘柱沟槽侧壁和底部掺杂P‑离子形成，深沟槽绝缘柱由绝缘材料填充而成；发射区包括两N+射极区及N+射极区间的P+区。通过增加绝缘柱数目，进行侧壁离子注入及回填绝缘材料工艺降低电位可浮动P型区域加工难度，提升工艺可靠性；上述结构通过改变空穴流向实现低集电极‑射极端间饱和电压，同时减少射极端过多的载流子，缩短开关时间，降低开关损耗，并可以降低栅极底部电场强度，提高击穿电压。
本发明授权多重深沟槽绝缘柱高导电度绝缘栅双极型晶体管及其制程在权利要求书中公布了：1.一种多重深沟槽绝缘柱高导电度绝缘栅双极型晶体管，包括射极端101与集极端200，其特征在于，所述射极端101包括主单元及位于主单元两侧的辅助单元；其中， 所述主单元包括发射区、基区104及绝缘层，基区104两侧为沟槽式栅极108； 辅助单元包括电位可浮动P型区域106及其中的多个深沟槽绝缘柱107； 所述电位可浮动P型区域106，由绝缘柱沟槽109的侧壁和底部掺杂P-离子形成，所述深沟槽绝缘柱107由绝缘材料填充而成； 发射区包括位于基区104顶部两侧的N+射极区102、以及位于两个N+射极区102之间的P+区103。
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