合肥晶合集成电路股份有限公司苏圣瀛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121076012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511613306.9，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权一种半导体器件的制作方法是由苏圣瀛;王维安;杨宗凯;程洋;张立治设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的制作方法，应用于半导体技术领域。本发明包括：提供具有第一导电类型掺杂离子的基底，形成深沟槽位于基底内，形成具有第二导电类型掺杂离子的掺杂区位于深沟槽下方的部分基底内，形成金属硅化物层位于深沟槽的底部；从而可通过将在深沟槽的底部形成金属硅化物层，和在深沟槽下方的部基底内形成掺杂区的结合，达到利用金属硅化物层与导电层的功函数接近可形成欧姆接触的特性，实现导电层和金属硅化物层的导通的目的，并利用所述掺杂区可提高基底内载流子浓度，而载流子浓度提高的基底与金属硅化物层可形成欧姆接触的特性，达到实现金属硅化物层和基底的导通，亦实现导电层与基底的同型或亦型导通的目的。
本发明授权一种半导体器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供具有第一导电类型掺杂离子的基底； 形成深沟槽位于所述基底内； 形成介质层位于所述深沟槽的内侧壁上； 形成具有第二导电类型掺杂离子的掺杂区位于所述深沟槽下方的部分所述基底内； 形成金属硅化物层位于所述深沟槽的底部，所述金属硅化物层对位于所述掺杂区，且其底部与所述掺杂区直接接触； 形成具有第三导电类型掺杂离子的导电层位于所述介质层和所述金属硅化物层上，并填满所述深沟槽； 在形成所述深沟槽之前，还包括： 形成具有第四导电类型掺杂离子的隔离埋层位于所述基底内，所述隔离埋层位于所述深沟槽的下方，且其部分顶部与所述金属硅化物层的底部直接接触，以使所述掺杂区位于所述隔离埋层中；其中，所述第四导电类型掺杂离子的导电类型与所述第二导电类型掺杂离子的导电类型相同。
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