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龙图腾网获悉成都森未科技有限公司申请的专利一种IGBT器件损耗评估方法、装置、介质及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121069148B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511613673.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种IGBT器件损耗评估方法、装置、介质及电子设备是由刘毫;马克强;孟繁新设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGBT器件损耗评估方法、装置、介质及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片领域，提出一种IGBT器件损耗评估方法、装置、介质及电子设备，根据IGBT管在电流周期内各个导通段的导通电流平均值，获取IGBT管的导通损耗，根据IGBT管在电流周期内每次开关电流和杂散电感偏差值，获取IGBT管的开关损耗，根据快速恢复二极管在电流周期内各个导通段的导通电流平均值，获取快速恢复二极管的导通损耗；根据快速恢复二极管在电流周期内每次关断前对应的导通电流和杂散电感偏差值，获取快速恢复二极管下的反向恢复损耗；根据得到的导通损耗、开关损耗以及反向恢复损耗，确定IGBT器件的总损耗。通过引入杂散电感偏差值得到准确的开关损耗和反向恢复损耗，进而保障总损耗评估结果的准确性。

本发明授权一种IGBT器件损耗评估方法、装置、介质及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件损耗评估方法，其特征在于，所述方法包括： 根据IGBT管在电流周期内各个导通段的导通电流平均值，获取IGBT管在结温下的导通损耗，其中，IGBT器件包括IGBT管和连接于IGTB管的发射极与集电极的快速恢复二极管； 根据IGBT管在电流周期内每次开关电流和杂散电感偏差值，获取IGBT管在结温下的开关损耗，包括：根据在结温下IGBT管每次开通后对应的导通电流，确定对应的单次开通损耗；获取在结温下IGBT管每次关断前对应的导通电流，确定对应的单次关断损耗；根据获取到的单次开通损耗、单次关断损耗以及所述杂散电感偏差值，获取IGBT管在结温下的开关损耗； 其中，开关电流包括每次开通后对应的导通电流和每次关断前对应的导通电流，所述杂散电感偏差值为测试损耗的标准杂散电感与测试损耗的实际杂散电感的差； IGBT管在结温下的开关损耗的算式为： 其中，表示IGBT管在结温下的开关损耗，表示IGBT器件流通的电流周期，表示施加在IGBT组件两端的直流电压实际值，IGBT组件包括两个串接的IGBT器件，表示施加在IGBT组件两端的直流电压额定值，表示第一拟合系数，表示第二拟合系数，n1表示电流周期内IGBT管的开通总次数，n2表示电流周期内IGBT管的关断总次数，ta4表示电流周期内IGBT管的第ta4次开通，tb4表示电流周期内IGBT管的第tb4次关断，表示IGBT管在对应电流周期内的结温，表示IGBT管第ta4次开通后对应的导通电流，表示IGBT管第tb4次关断前对应的导通电流，表示在结温下第ta4次开通对应的单次开通损耗，表示在结温下第tb4次关断对应的单次关断损耗，表示测试损耗的标准杂散电感，表示测试损耗的实际杂散电感； 根据快速恢复二极管在电流周期内各个导通段的导通电流平均值，获取快速恢复二极管在结温下的导通损耗； 根据快速恢复二极管在电流周期内每次关断前对应的导通电流和所述杂散电感偏差值，获取快速恢复二极管在结温下的反向恢复损耗，包括：根据在结温下快速恢复二极管每次关断前对应的导通电流，确定对应的单次反向恢复损耗；根据获取到的单次反向恢复损耗以及所述杂散电感偏差值，获取快速恢复二极管在结温下的反向恢复损耗； 快速恢复二极管在结温下的反向恢复损耗的算式为： 其中，表示快速恢复二极管在结温下的反向恢复损耗，表示第三拟合系数，表示第四拟合系数，n3表示电流周期内快速恢复二极管的关断总次数，tc表示电流周期内快速恢复二极管的第tc次关断，表示快速恢复二极管在对应电流周期内的结温，表示快速恢复二极管第tc次关断前对应的导通电流，表示在结温下第tc次关断对应的单次反向恢复损耗； 根据得到的导通损耗、开关损耗以及反向恢复损耗，确定IGBT器件的总损耗。

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