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龙图腾网获悉浙江正邦电子股份有限公司申请的专利一种压接式大功率高压二极管芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511553891.8，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种压接式大功率高压二极管芯片的制造方法是由颜辉;项卫光;李有康;颜廷刚;刘积青;张宏超;李晓明设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压接式大功率高压二极管芯片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种压接式大功率高压二极管芯片的制造方法，涉及电力半导体器件制造技术领域，该方法通过在半导体晶圆表面通过激光开槽形成环形沟槽，结合闭管镓铝扩散工艺在沟槽内形成单个芯片的圆形PN结隔离墙；在隔离墙围成的单胞区域内进行硼磷双质扩散，形成PN结掺杂结构；采用光刻掩膜限定区域，通过HFHNO33混合溶液化学腐蚀形成双角度台面结构；依次沉积半绝缘多晶硅层、双层玻璃钝化层；沿隔离墙激光切割分离单个芯片；在芯片阳极面烧结阳极钼片，在芯片阴极面真空蒸镀阴极铝膜并合金化形成电极。本发明能够通过晶圆级台面造型与无机钝化工艺提升芯片制造的一致性和稳定性。

本发明授权一种压接式大功率高压二极管芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种压接式大功率高压二极管芯片的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 步骤1隔离墙预制：在半导体晶圆表面通过激光开槽形成环形沟槽，结合闭管镓铝扩散工艺在沟槽内形成单个芯片的圆形PN结隔离墙； 步骤2晶圆级PN结制作：在隔离墙围成的单胞区域内进行硼磷双质扩散，形成PN结掺杂结构； 步骤3光刻引导台面造型：采用光刻掩膜限定区域，通过HFHNO3混合溶液化学腐蚀形成双角度台面结构；其中，所述双角度台面结构包括30°–45°的主斜角和-10°～+30°的负斜角；所述负斜角在HFHNO3混合溶液腐蚀过程中形成鸟嘴结构，腐蚀液温度控制在15–25℃，腐蚀速率0.5–1.2μmmin，使负斜角最终演变为+5°～+15°正向角，表面电场峰值降低至≤80Vμm； 步骤4晶圆级双层钝化：依次沉积半绝缘多晶硅层、双层玻璃钝化层； 步骤5应力释放切割：沿隔离墙激光切割分离单个芯片；其中，沿隔离墙激光切割前进行退火处理，退火处理的温度为600～800℃，时间为10～30min；沿隔离墙激光切割前进行退火处理时，退火处理采用梯度升温，以5℃min速率升至目标温度，保温后以2℃min缓冷，钝化层残余应力≤100MPa； 步骤6电极后置工艺：在芯片阳极面烧结阳极钼片，在芯片阴极面真空蒸镀阴极铝膜并合金化形成电极；其中，电极后置工艺中，真空蒸镀阴极铝膜并合金化形成电极时，还包括氦离子束处理界面，其中，氦离子束的能量为30～80eV，时间为20～40s，使铝膜与硅基板界面复合缺陷密度≤108cm-2，接触电阻≤1×10-5Ω·cm2。

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