杭州清芯微电子有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州清芯微电子有限公司申请的专利一种带P-well层的碳化硅半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121013380B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511539485.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种带P-well层的碳化硅半导体器件及其制备方法是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带P-well层的碳化硅半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种带P‑well层的碳化硅半导体器件及其制备方法，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极、栅极以及覆盖在栅极表面上的栅氧化层，所述半导体外延层包括N衬底层、N扩散层、P+层、N阱层以及P阱层，单个所述MOS元胞的N扩散层的内部，且位于P阱层与栅极之间区域的下方通过离子注入形成有掺杂层和若干个互不接触的掺杂带。本发明通过在传统MOS元胞的P阱与栅极下方区域引入特定的掺杂层与掺杂带组合，该结构设计能够显著调制器件导通时JFET区的电流路径，降低比导通电阻，同时在阻断状态下改善横向电场的分布，从而在不牺牲击穿电压的前提下，整体提升了器件的导通性能。
本发明授权一种带P-well层的碳化硅半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带P-well层的碳化硅半导体器件，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极2、栅极3以及覆盖在栅极3表面上的栅氧化层，所述半导体外延层包括N衬底层4、N扩散层5、P+层6、N阱层7以及P阱层8，其特征在于：单个所述MOS元胞的N扩散层5的内部，且位于P阱层8与栅极3之间区域的下方通过离子注入形成有掺杂层和若干个互不接触的掺杂带； 所述掺杂层为N+掺杂层9，该N+掺杂层9的顶端与P阱层8、栅氧化层直接接触。
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