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龙图腾网获悉浙江华忆芯科技有限公司申请的专利闪存颗粒测试方法、电子设备和计算机可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121011234B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511539912.0，技术领域涉及：G11C29/08；该发明授权闪存颗粒测试方法、电子设备和计算机可读存储介质是由赵欣宇;董昊铖;贲伟建;涂川吉设计研发完成，并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存颗粒测试方法、电子设备和计算机可读存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种闪存颗粒测试方法、电子设备和计算机可读存储介质，该方法包括：获取多个擦写次数下瞬时退化速率随测试温度变化的关联关系；其中，在不同的测试温度下对作为样本的闪存颗粒进行擦写测试时得到误码率，瞬时退化速率与误码率随擦写次数增加时的变化速率对应；获取参考温度和参考擦写次数所对应的参考瞬时退化速率，基于参考瞬时退化速率和关联关系，确定目标温度下的等效擦写次数；其中，参考温度低于目标温度；在目标温度下按照等效擦写次数对待测试的闪存颗粒进行擦写测试。通过上述方式，本申请能够提高闪存颗粒测试的效率。

本发明授权闪存颗粒测试方法、电子设备和计算机可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种闪存颗粒测试方法，其特征在于，所述方法包括： 获取多个擦写次数下瞬时退化速率随测试温度变化的关联关系；其中，在不同的所述测试温度下对作为样本的闪存颗粒进行擦写测试时得到误码率，所述瞬时退化速率与误码率随擦写次数增加时的变化速率对应；所述关联关系基于以下步骤得到：在不同的测试温度下对作为样本的闪存颗粒按照不同的擦写次数进行擦写测试，得到每个所述测试温度下的样本测试结果；基于每个所述测试温度下的所述样本测试结果，确定每个所述测试温度下误码率随擦写次数增加时的非线性变化规律，利用所述非线性变化规律，确定任意擦写次数下的所述瞬时退化速率；获取非线性退化模型，基于同一擦写次数对应的不同所述测试温度下的所述瞬时退化速率，确定所述非线性退化模型的目标参数，利用所述非线性退化模型及其对应的所述目标参数，确定所述瞬时退化速率随所述测试温度变化的关联关系； 获取参考温度和参考擦写次数所对应的参考瞬时退化速率，基于所述参考瞬时退化速率和所述关联关系，确定目标温度下的等效擦写次数；其中，所述参考温度低于所述目标温度； 在所述目标温度下按照所述等效擦写次数对待测试的闪存颗粒进行擦写测试。

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