杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利具有多级场板结的SiC VDMOSFET动态特性增强结构及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001384B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511539583.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权具有多级场板结的SiC VDMOSFET动态特性增强结构及其制备工艺是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有多级场板结的SiC VDMOSFET动态特性增强结构及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了具有多级场板结的SiCVDMOSFET动态特性增强结构及其制备工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括有漏极、半导体外延层、栅极、栅氧场板以及源极，所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、N阱层、P+层以及P阱层，所述栅氧场板位于栅极与半导体外延层之间，其中栅氧场板与栅极之间沉积有场板结，该场板结由若干个互不接触的二氧化硅沉积块构成。本发明通过采用自对准多级场板结构，实现了栅氧场板上电场分布的优化调制，有效抑制了栅极边缘的电场集中现象，从而显著提高了器件的击穿电压和动态稳定性，使其在高压开关应用中表现出更高的可靠性。
本发明授权具有多级场板结的SiC VDMOSFET动态特性增强结构及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.具有多级场板结的SiCVDMOSFET动态特性增强结构，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括有漏极1、半导体外延层、栅极2、栅氧场板3以及源极4，所述半导体外延层包括N衬底层5、N漂移层6、N阱层7、P+层8以及P阱层9，其特征在于：所述栅氧场板3位于栅极2与半导体外延层之间，其中栅氧场板3与栅极2之间沉积有场板结10，该场板结10由若干个互不接触的二氧化硅沉积块构成； 其中，中间处二氧化硅沉积块覆盖在栅氧场板3上的范围大，两侧处二氧化硅沉积块覆盖在栅氧场板3上的范围小。
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